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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド

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  2021年 出願公開件数ランキング    第974位 28件 上昇2020年:第1973位 11件)

  2021年 特許取得件数ランキング    第1703位 10件 下降2020年:第1115位 17件)

(ランキング更新日:2024年11月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2021-536600 複数のベクトルマトリックス乗算アレイ及び共有構成要素を備える、深層学習ニューラルネットワーク用のアナログニューラルメモリシステム 2021年12月27日
特表 2021-536614 深層学習ニューラルネットワーク用の構成可能なアナログニューラルメモリシステム 2021年12月27日
特表 2021-536623 深層学習ニューラルネットワークで使用されるアナログニューラルメモリシステムのメモリセルに対する温度補償及び漏れ補償 2021年12月27日
特表 2021-535531 消去ゲートを有する分割ゲートフラッシュメモリセルのプログラミング方法 2021年12月16日
特表 2021-534534 浮遊ゲートに容量結合されたゲートを有するメモリセルのプログラミング 2021年12月 9日
特表 2021-531609 ディープラーニング人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューロメモリ内の基準トランジスタ及びメモリセルに対する補償 2021年11月18日
特表 2021-530785 ディープラーニングの人工ニューラルネットワーク内のアナログニューラルメモリ内に不良メモリセルを含む行又は列に関する冗長メモリアクセス 2021年11月11日
特表 2021-529439 三次元FINFET構造体を有する分割ゲート不揮発性メモリセル、及びその製造方法 2021年10月28日
特表 2021-527293 フラッシュメモリシステム内のワード線と制御ゲート線との間の結合を低減するための方法及び装置 2021年10月11日
特表 2021-527294 フラッシュメモリシステム用の改良されたセンスアンプ 2021年10月11日
特表 2021-524121 バイト消去動作を有する、分割ゲートフラッシュメモリアレイ 2021年 9月 9日
特表 2021-523511 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリの高電圧生成のための方法及び装置 2021年 9月 2日
特表 2021-523566 様々な絶縁ゲート酸化物を備えた分割ゲートフラッシュメモリセル及びその形成方法 2021年 9月 2日
特表 2021-523575 シリコンオンインシュレータ基板を備えた埋め込みメモリデバイスを製造する方法 2021年 9月 2日
特表 2021-522674 FinFET構造体を有する分割ゲート不揮発性メモリセル及び論理デバイス、並びにその製造方法 2021年 8月30日

28 件中 1-15 件を表示

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2021-536600 2021-536614 2021-536623 2021-535531 2021-534534 2021-531609 2021-530785 2021-529439 2021-527293 2021-527294 2021-524121 2021-523511 2021-523566 2021-523575 2021-522674

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