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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第1289位 20件
（
2018年：第928位 29件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第950位 21件
（
2018年：第1328位 14件）
（ランキング更新日：2025年1月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2019-527910 | 抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セルフィラメントの電流形成 | 2019年10月 3日 | |
| 特開 2019-169233 | 相補的電圧源を使用した分割ゲートフラッシュメモリシステム | 2019年10月 3日 | |
| 特表 2019-526880 | アレイ内のフラッシュメモリセルを読み出すためのビット線プリチャージ回路を有する改良された感知増幅器 | 2019年 9月19日 | |
| 特表 2019-525482 | 低背スプリットゲート型メモリセルを形成する方法 | 2019年 9月 5日 | |
| 特表 2019-522862 | フラッシュメモリ装置のための非対称感知増幅器及び関連する方法 | 2019年 8月15日 | |
| 特開 2019-133736 | 内蔵フラッシュメモリデバイス用の改良された電力シーケンシング | 2019年 8月 8日 | |
| 特表 2019-519059 | 改善されたフラッシュメモリセル及び関連するデコーダ | 2019年 7月 4日 | |
| 特表 2019-519124 | 個々のメモリセルが読み出し、プログラミング、及び消去される３ゲートフラッシュメモリセルアレイ | 2019年 7月 4日 | |
| 特表 2019-517138 | 不揮発性メモリアレイを使用したディープラーニングニューラルネットワーク分類器 | 2019年 6月20日 | |
| 特表 2019-517140 | 個々のメモリセル読み出し、プログラム及び消去を備えたフラッシュメモリアレイ | 2019年 6月20日 | |
| 特表 2019-517155 | 内蔵不揮発性メモリセルでＦＩＮＦＥＴ・ＣＭＯＳデバイスを集積する方法 | 2019年 6月20日 | |
| 特表 2019-516245 | ２つのポリシリコン堆積工程を使用して対の３ゲート不揮発性フラッシュメモリセルを形成する方法 | 2019年 6月13日 | |
| 特表 2019-515495 | スプリットゲート、ツインビット不揮発性メモリセル | 2019年 6月 6日 | |
| 特表 2019-515513 | スプリットゲート型不揮発性フラッシュメモリセルの製造方法 | 2019年 6月 6日 | |
| 特表 2019-512889 | 小型スプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその作製方法 | 2019年 5月16日 |
20 件中 1-15 件を表示
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2019-527910 2019-169233 2019-526880 2019-525482 2019-522862 2019-133736 2019-519059 2019-519124 2019-517138 2019-517140 2019-517155 2019-516245 2019-515495 2019-515513 2019-512889
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