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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド

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 ■ 2022年 出願公開件数ランキング    第908位 29件 (下降2021年:第901位 28件)

 ■ 2022年 特許取得件数ランキング    第1357位 15件 (上昇2021年:第1703位 10件)

(ランキング更新日:2026年10月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2022-551851 バイト消去動作を有する4つのゲートのスプリットゲートフラッシュメモリアレイ 2022年12月14日
特表 2022-549112 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのプログラミングのための精密な調整 2022年11月24日
特表 2022-548154 記憶されたインデックス情報を有する不揮発性メモリデバイス 2022年11月16日
特表 2022-546088 所定のプログラム状態における最終焼成を使用するアナログ不揮発性メモリにおける読み出し電流安定性を改善する方法 2022年11月 2日
特表 2022-545740 メモリセルのスクリーニングによる、アナログ不揮発性メモリにおける読み出し電流の安定性を改善する方法 2022年10月28日
特表 2022-543860 集積回路のための改善されたレベルシフタ 2022年10月14日
特表 2022-540724 人工ニューラルネットワーク内のアナログニューラルメモリのための試験回路及び方法 2022年 9月16日
特表 2022-540723 人工ニューラルネットワーク内のアナログニューラルメモリのための試験回路及び方法 2022年 9月16日
特表 2022-539486 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのための構成可能な入力ブロック及び出力ブロック、並びに物理的レイアウト 2022年 9月12日
特表 2022-539403 スペーサ画定された浮遊ゲート及び離散的に形成されたポリシリコンゲートを有する分割ゲートフラッシュメモリセルを形成する方法 2022年 9月 8日
特表 2022-536213 消去とプログラムとの間の時間のずれを制限することによって、アナログ不揮発性メモリにおける読み出し電流安定性を改善する方法 2022年 8月12日
特表 2022-531992 スプリットゲート型メモリセルを形成する方法 2022年 7月12日
特表 2022-531766 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用の出力アレイニューロンの変換及び較正 2022年 7月11日
特表 2022-531193 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用のデコードシステム及び物理レイアウト 2022年 7月 6日
特表 2022-523316 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用の精密プログラミング回路 2022年 4月22日

29 件中 1-15 件を表示

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2022-551851 2022-549112 2022-548154 2022-546088 2022-545740 2022-543860 2022-540724 2022-540723 2022-539486 2022-539403 2022-536213 2022-531992 2022-531766 2022-531193 2022-523316

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