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シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド

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シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2017-224381	高度ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良形トランジスタ設計	2017年12月21日
特表 2017-536703	同時に形成された低及び高電圧論理デバイスを有する不揮発性メモリアレイ	2017年12月 7日
特表 2017-532782	シリコンオンインシュレータ基板を備えた埋め込みメモリデバイスの製造方法	2017年11月 2日
特表 2017-531896	不揮発性分割ゲートメモリ装置及びその動作方法	2017年10月26日
特表 2017-529026	デジタル制御遅延ロックループ基準生成装置	2017年 9月28日
特表 2017-527940	高速フラッシュメモリシステム用のビット線レギュレータ	2017年 9月21日
特表 2017-525081	ＥＥＰＲＯＭ機能を有するフラッシュメモリシステム	2017年 8月31日
特表 2017-524260	制御ゲートと浮遊ゲートとの間の強化された横方向結合によりスケーリングが改良される分割ゲートフラッシュメモリセル	2017年 8月24日
特表 2017-522686	スプリットゲートフラッシュメモリセルのセクタの一部分の消去を禁止するシステム及び方法	2017年 8月10日
特表 2017-518600	内蔵フラッシュメモリデバイス用の改良された電力シーケンシング	2017年 7月 6日
特表 2017-516253	スプリットゲートフラッシュメモリセルのプログラミング中の外乱を低減するシステム及び方法	2017年 6月15日
特表 2017-511949	低電力ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良型感知回路	2017年 4月27日
特表 2017-509156	バルク／ＳＯＩハイブリッド基板上の組込型メモリデバイス及びそれを製作する方法	2017年 3月30日
特表 2017-509162	バイト消去可能な不揮発性メモリアーキテクチャ及びその消去方法	2017年 3月30日
特表 2017-505542	半導体活性区域及び隔離領域を形成するダブルパターン形成方法	2017年 2月16日

18 件中 1-15 件を表示

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2017-224381 2017-536703 2017-532782 2017-531896 2017-529026 2017-527940 2017-525081 2017-524260 2017-522686 2017-518600 2017-516253 2017-511949 2017-509156 2017-509162 2017-505542

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