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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1503位 18件
（
2016年：第1586位 15件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第1363位 14件
（2016年：第1540位 13件）
（ランキング更新日：2026年3月3日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-224381 | 高度ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良形トランジスタ設計 | 2017年12月21日 | |
| 特表 2017-536703 | 同時に形成された低及び高電圧論理デバイスを有する不揮発性メモリアレイ | 2017年12月 7日 | |
| 特表 2017-532782 | シリコンオンインシュレータ基板を備えた埋め込みメモリデバイスの製造方法 | 2017年11月 2日 | |
| 特表 2017-531896 | 不揮発性分割ゲートメモリ装置及びその動作方法 | 2017年10月26日 | |
| 特表 2017-529026 | デジタル制御遅延ロックループ基準生成装置 | 2017年 9月28日 | |
| 特表 2017-527940 | 高速フラッシュメモリシステム用のビット線レギュレータ | 2017年 9月21日 | |
| 特表 2017-525081 | ＥＥＰＲＯＭ機能を有するフラッシュメモリシステム | 2017年 8月31日 | |
| 特表 2017-524260 | 制御ゲートと浮遊ゲートとの間の強化された横方向結合によりスケーリングが改良される分割ゲートフラッシュメモリセル | 2017年 8月24日 | |
| 特表 2017-522686 | スプリットゲートフラッシュメモリセルのセクタの一部分の消去を禁止するシステム及び方法 | 2017年 8月10日 | |
| 特表 2017-518600 | 内蔵フラッシュメモリデバイス用の改良された電力シーケンシング | 2017年 7月 6日 | |
| 特表 2017-516253 | スプリットゲートフラッシュメモリセルのプログラミング中の外乱を低減するシステム及び方法 | 2017年 6月15日 | |
| 特表 2017-511949 | 低電力ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良型感知回路 | 2017年 4月27日 | |
| 特表 2017-509156 | バルク／ＳＯＩハイブリッド基板上の組込型メモリデバイス及びそれを製作する方法 | 2017年 3月30日 | |
| 特表 2017-509162 | バイト消去可能な不揮発性メモリアーキテクチャ及びその消去方法 | 2017年 3月30日 | |
| 特表 2017-505542 | 半導体活性区域及び隔離領域を形成するダブルパターン形成方法 | 2017年 2月16日 |
18 件中 1-15 件を表示
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2017-224381 2017-536703 2017-532782 2017-531896 2017-529026 2017-527940 2017-525081 2017-524260 2017-522686 2017-518600 2017-516253 2017-511949 2017-509156 2017-509162 2017-505542
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