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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第928位 29件
（
2017年：第1503位 18件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1328位 14件
（2017年：第1363位 14件）
（ランキング更新日：2025年1月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2018-537866 | 不揮発性メモリにおける金属浮遊ゲートの集積 | 2018年12月20日 | |
| 特表 2018-536960 | フラッシュメモリの動力駆動最適化 | 2018年12月13日 | |
| 特表 2018-535543 | シリコンオンインシュレータ基板を備えた埋め込みメモリデバイスを製造する方法 | 2018年11月29日 | |
| 特表 2018-535547 | 別個のワード線及び消去ゲートを有するフラッシュメモリを形成する方法 | 2018年11月29日 | |
| 特表 2018-534775 | メモリアレイ及び論理デバイスを形成する方法 | 2018年11月22日 | |
| 特表 2018-533208 | 統合された高Ｋ金属ゲートを有する不揮発性分割ゲートメモリセル及びそれを作製する方法 | 2018年11月 8日 | |
| 特表 2018-533228 | 金属ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法 | 2018年11月 8日 | |
| 特表 2018-531477 | 完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ・フラッシュメモリ設計 | 2018年10月25日 | |
| 特表 2018-526762 | ソース線プルダウン回路としてダミーメモリセルを使用するフラッシュメモリシステム | 2018年 9月13日 | |
| 特表 2018-525818 | 浮遊ゲート、ワード線及び消去ゲートを有する分割ゲート型不揮発性メモリセル | 2018年 9月 6日 | |
| 特表 2018-522399 | ５ボルトの論理デバイスを有する分割ゲート型メモリセルを形成する方法 | 2018年 8月 9日 | |
| 特表 2018-521512 | 統合された高Ｋ金属ゲート論理デバイス及び無金属消去ゲートを有する不揮発性分割ゲートメモリセル、並びにその作製方法 | 2018年 8月 2日 | |
| 特表 2018-520454 | フラッシュメモリシステムに対する低パワー動作 | 2018年 7月26日 | |
| 特開 2018-117519 | フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法 | 2018年 7月26日 | |
| 特表 2018-518002 | 分割ゲート不揮発性メモリセルをプログラムするためのシステム及び方法 | 2018年 7月 5日 |
29 件中 1-15 件を表示
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2018-537866 2018-536960 2018-535543 2018-535547 2018-534775 2018-533208 2018-533228 2018-531477 2018-526762 2018-525818 2018-522399 2018-521512 2018-520454 2018-117519 2018-518002
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