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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド

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  2023年 出願公開件数ランキング    第725位 39件 上昇2022年:第908位 29件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第571位 47件 上昇2022年:第1358位 15件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2023-179502 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのためのワード線及び制御ゲート線タンデムデコーダ 2023年12月19日
特開 2023-169170 人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのための精密なプログラミング方法及び装置 2023年11月29日
特開 2023-166467 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのプログラミングのための精密な調整 2023年11月21日
特表 2023-547902 FinFET構造体を有する分割ゲート不揮発性メモリセル、HV、及び論理デバイス、並びにその製造方法 2023年11月14日
特表 2023-544018 消去ゲートがワード線ゲートの上方に配設されたスプリットゲート2ビット不揮発性メモリセル及びその製造方法 2023年10月19日
特表 2023-544019 ワード線ゲートの上方に配設された消去ゲートを有するスプリットゲート不揮発性メモリセル、及びその作製方法 2023年10月19日
特開 2023-153778 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用のデコードシステム及び物理レイアウト 2023年10月18日
特開 2023-139013 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのための構成可能な入力ブロック及び出力ブロック、並びに物理的レイアウト 2023年10月 3日
特開 2023-130332 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリの高電圧生成のための方法及び装置 2023年 9月20日
特表 2023-539845 アナログニューラルメモリにおける書き込みと検証との同時動作 2023年 9月20日
特表 2023-538452 平面状のスプリットゲート不揮発性メモリセル、高電圧デバイス、及びFINFET論理デバイスを有するデバイスを形成する方法 2023年 9月 7日
特表 2023-533719 人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリアレイの適応バイアスデコーダ 2023年 8月 4日
特表 2023-533605 導電性ブロックにシリサイドを備える基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを作製する方法 2023年 8月 3日
特表 2023-532238 基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを作製する方法 2023年 7月27日
特表 2023-532022 ランダムテレグラフノイズを呈するメモリセルのプログラム調整による、アナログ不揮発性メモリにおける読み出し電流の安定性を改善する方法 2023年 7月26日

39 件中 1-15 件を表示

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2023-179502 2023-169170 2023-166467 2023-547902 2023-544018 2023-544019 2023-153778 2023-139013 2023-130332 2023-539845 2023-538452 2023-533719 2023-533605 2023-532238 2023-532022

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