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シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド

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シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2016-531434	ケイ素金属浮遊ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法	2016年10月 6日
特表 2016-524342	分割ゲート型不揮発性メモリセル用の自己整合ソースの形成	2016年 8月12日
特表 2016-515771	自己整列浮遊及び消去ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法	2016年 5月30日
特表 2016-514366	高度なナノメートルフラッシュメモリデバイスのための高速検知	2016年 5月19日
特表 2016-514446	フラッシュメモリ装置のハイブリッドチャージポンプ並びに調節手段及び方法	2016年 5月19日
特表 2016-513852	高速・低電力センス増幅器	2016年 5月16日
特表 2016-513853	メモリデバイスにおけるセンス増幅器のセルフタイマ	2016年 5月16日
特表 2016-513330	高度ナノメートルフラッシュメモリ装置において使用される改良形トランジスタ設計	2016年 5月12日
特表 2016-513331	メモリデバイスの電力管理	2016年 5月12日
特表 2016-511907	高度なナノメートルフラッシュメモリのダイナミックプログラミング	2016年 4月21日
特表 2016-510476	不揮発性メモリのプログラムアルゴリズムのデバイス及び方法	2016年 4月 7日
特表 2016-509758	トレンチ内に電荷トラップ層を有する不揮発性メモリセル、アレイ、及びその製造方法	2016年 3月31日
特表 2016-507908	増大したチャネル領域有効幅を有する不揮発性メモリセル及びその製造方法	2016年 3月10日
特表 2016-507168	低漏出、低閾値電圧、分割ゲートフラッシュセル動作	2016年 3月 7日
特表 2016-504701	三次元フラッシュメモリシステム	2016年 2月12日

15 件中 1-15 件を表示

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2016-531434 2016-524342 2016-515771 2016-514366 2016-514446 2016-513852 2016-513853 2016-513330 2016-513331 2016-511907 2016-510476 2016-509758 2016-507908 2016-507168 2016-504701

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