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シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド

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シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2018-517223	フラッシュメモリシステムにおける選択していないビット線のプログラミングを禁止する方法及び装置	2018年 6月28日
特開 2018-101457	高度なナノメートルフラッシュメモリデバイスのための高速検知	2018年 6月28日
特表 2018-508987	高密度スプリットゲート型メモリセル	2018年 3月29日
特表 2018-509000	スプリットゲート型フラッシュメモリアレイ及びロジックデバイスの集積化	2018年 3月29日
特表 2018-507548	低電圧論理デバイス及び高電圧論理デバイスと共に分割ゲートメモリセルアレイを形成する方法	2018年 3月15日
特表 2018-507563	３Ｄ　ＦｉｎＦＥＴ構造体を有するスプリットゲート不揮発性メモリセル及びその製造方法	2018年 3月15日
特表 2018-506814	読み取り専用メモリ機能性を提供するように構成可能なフラッシュメモリ装置	2018年 3月 8日
特表 2018-506846	幾何学的に改良された抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セル及びその形成方法	2018年 3月 8日
特表 2018-506862	ＲＯＭセルを含む不揮発性メモリセルのアレイ	2018年 3月 8日
特表 2018-504731	相補的電圧源を使用した分割ゲートフラッシュメモリシステム	2018年 2月15日
特表 2018-503263	金属ゲートを備えた自己整合型分割ゲートメモリセルアレイ及び論理デバイスの形成方法	2018年 2月 1日
特表 2018-501643	仮想接地型不揮発性メモリアレイ	2018年 1月18日
特表 2018-501661	金属ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法	2018年 1月18日
特表 2018-501662	金属改良ゲートを有するスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル及びその製造方法	2018年 1月18日

29 件中 16-29 件を表示

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2018-517223 2018-101457 2018-508987 2018-509000 2018-507548 2018-507563 2018-506814 2018-506846 2018-506862 2018-504731 2018-503263 2018-501643 2018-501661 2018-501662

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