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クリー インコーポレイテッド

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 ■ 2026年 出願公開件数ランキング    第689位 31件 (上昇2025年:第745位 34件)

 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第829位 20件 (下降2025年:第625位 37件)

(ランキング更新日:2026年10月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2026-534301 セル・ピッチ及びオン状態抵抗を小さくする深いサポート・シールドが成形されているゲート・トレンチ・パワー半導体デバイス 2026年10月14日
特表 2026-534252 深いサポート・シールドを有するゲート・トレンチ・パワー半導体デバイス及びかかるデバイスを作製する方法 2026年10月14日
特表 2026-533672 ウェル領域と自己整合した選択的JFETインプラントを有するパワー炭化ケイ素ベースの半導体デバイス、及びそのようなデバイスを製造する方法 2026年10月 7日
特表 2026-531687 平衡シャント構造を有するパワー半導体デバイス 2026年 9月17日
特開 2026-148602 トレンチ型半導体デバイスのための支持シールド構造 2026年 9月17日
特表 2026-530573 埋め込みゲートを有するワイドバンドギャップトレンチゲート半導体デバイス 2026年 9月 9日
特表 2026-529290 非対称的に丸みを帯びた上側トレンチ角部及び下側トレンチ隅部を伴うゲート・トレンチ、並びに/又は陥凹されたゲート電極を有するパワー半導体デバイス、並びにそのようなデバイスを作製する方法 2026年 8月28日
特開 2026-131845 埋込みp型層を有する第III族窒化物高電子移動度トランジスタおよびその作製プロセス 2026年 8月14日
特開 2026-123116 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 2026年 7月29日
特表 2026-524472 追加機能を有するように構成されたパワーパッケージ 2026年 7月22日
特表 2026-523143 RF増幅器パッケージおよびその製造方法 2026年 7月13日
特開 2026-108710 高電力用途のための電力モジュール 2026年 6月30日
特表 2026-520809 高い放熱性を有するヘテロエピタキシャル半導体デバイス 2026年 6月25日
特開 2026-102829 緩和された正の湾曲を有する炭化ケイ素ウェーハを処理するための方法 2026年 6月23日
特開 2026-94254 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 2026年 6月 9日

31 件中 1-15 件を表示

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2026-534301 2026-534252 2026-533672 2026-531687 2026-148602 2026-530573 2026-529290 2026-131845 2026-123116 2026-524472 2026-523143 2026-108710 2026-520809 2026-102829 2026-94254

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