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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第2815位 7件
(2018年:第2731位 7件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第2101位 7件
(2018年:第967位 21件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2019-537274 | ゲート・トレンチと、埋め込まれた終端構造とを有するパワー半導体デバイス、及び、関連方法 | 2019年12月19日 | |
特表 2019-520703 | イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法 | 2019年 7月18日 | |
特表 2019-519121 | シリコンカーバイド基板に深く注入されたP−型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ | 2019年 7月 4日 | |
特表 2019-514217 | 高密度にピクセル化したマルチLEDチップ、これを組み込んだデバイス、およびこれを製造する方法 | 2019年 5月30日 | |
特表 2019-512886 | バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ | 2019年 5月16日 | |
特開 2019-71487 | ワイドバンドギャップ半導体デバイスのためのオーバーモールド・パッケージング | 2019年 5月 9日 | |
特開 2019-33500 | 強化型ドハティ増幅器 | 2019年 2月28日 |
7 件中 1-7 件を表示
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2019-537274 2019-520703 2019-519121 2019-514217 2019-512886 2019-71487 2019-33500
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