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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第1756位 13件 (2019年:第2815位 7件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第4019位 3件 (2019年:第2101位 7件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2020-536411 | ループ安定性のためのノード分割を有するトランジスタ増幅器及び関連する方法 | 2020年12月10日 | |
特表 2020-535701 | バイアスストリップを有するRF増幅器パッケージ | 2020年12月 3日 | |
特表 2020-534762 | 広帯域高調波整合ネットワーク | 2020年11月26日 | |
特開 2020-184648 | バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ | 2020年11月12日 | |
特表 2020-529738 | 高密度ピクセル化LEDチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法 | 2020年10月 8日 | |
特表 2020-524911 | 平滑化された立ち上がり動作及び改善された線形性を有する複数のユニット・セル・トランジスタを有する半導体デバイス | 2020年 8月20日 | |
特表 2020-520123 | 炭化ケイ素パワーモジュール | 2020年 7月 2日 | |
特表 2020-519025 | バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力MMICデバイス | 2020年 6月25日 | |
特開 2020-98921 | 高電流、低スイッチングロスのSiCパワーモジュール | 2020年 6月25日 | |
特表 2020-512682 | イオン注入側壁を有するゲート・トレンチを備えるパワー半導体デバイス及び関連方法 | 2020年 4月23日 | |
特開 2020-65073 | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | 2020年 4月23日 | |
特表 2020-505785 | 縦型FET構造 | 2020年 2月20日 | |
特表 2020-503241 | 安定化高ドープ・シリコン・カーバイド | 2020年 1月30日 |
13 件中 1-13 件を表示
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2020-536411 2020-535701 2020-534762 2020-184648 2020-529738 2020-524911 2020-520123 2020-519025 2020-98921 2020-512682 2020-65073 2020-505785 2020-503241
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