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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第813位 33件
(
2021年:第1358位 16件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1019位 22件
(
2021年:第2016位 8件)
(ランキング更新日:2026年10月14日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2022-552269 | 短絡耐量が改善された半導体デバイスおよびその製造方法 | 2022年12月15日 | |
| 特表 2022-551884 | 半導体デバイスの信頼性を高めるためのシステムおよびプロセス | 2022年12月14日 | |
| 特表 2022-551725 | 伝導チャネルに近接した階段状フィールド・プレート及び関連する製造方法 | 2022年12月13日 | |
| 特表 2022-550464 | 性能向上のために操作した固有キャパシタンスを有する無線周波数トランジスタ増幅器 | 2022年12月 1日 | |
| 特開 2022-169706 | 改善されたドレイン相互接続部及び/又はゲート相互接続部、並びにフィンガ構造 | 2022年11月 9日 | |
| 特表 2022-539524 | ハイブリッドパワーモジュール | 2022年 9月12日 | |
| 特表 2022-537686 | 改善された性能及び信頼性を有する高電子移動度トランジスタ及びそのトランジスタを含む電力増幅器 | 2022年 8月29日 | |
| 特表 2022-537452 | トランジスタの短絡保護のためのデバイス設計 | 2022年 8月25日 | |
| 特表 2022-536792 | パワーエレクトロニクス用のパッケージ | 2022年 8月18日 | |
| 特表 2022-536751 | 半導体ウェハをダイシングする方法およびこの方法によって作製された半導体装置 | 2022年 8月18日 | |
| 特表 2022-534393 | 統合高調波終端を備えたドハティ増幅器回路 | 2022年 7月29日 | |
| 特表 2022-533139 | リフローされた金属間誘電体層を有するパワー半導体デバイス | 2022年 7月21日 | |
| 特表 2022-532962 | 緩和された正の湾曲を有する炭化ケイ素ウェーハを処理するための方法 | 2022年 7月20日 | |
| 特表 2022-532679 | RFパワー増幅器パッケージングにおけるバイアス電圧接続 | 2022年 7月15日 | |
| 特表 2022-530183 | 電子濃度を低減するための構造および電子濃度を低減するためのプロセス | 2022年 6月28日 |
33 件中 1-15 件を表示
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2022-552269 2022-551884 2022-551725 2022-550464 2022-169706 2022-539524 2022-537686 2022-537452 2022-536792 2022-536751 2022-534393 2022-533139 2022-532962 2022-532679 2022-530183
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