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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第1407位 17件
(
2015年:第1910位 11件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第550位 48件
(
2015年:第354位 75件)
(ランキング更新日:2026年10月16日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2016-189480 | 負べベルにより終端された高阻止電圧を有するSiCデバイス | 2016年11月 4日 | |
| 特表 2016-532293 | 高電圧パワーデバイスのためのエッジ終端方法 | 2016年10月13日 | |
| 特表 2016-530712 | 炭化ケイ素への制御されたイオン注入 | 2016年 9月29日 | |
| 特表 2016-529720 | 縦型パワートランジスタデバイス | 2016年 9月23日 | |
| 特表 2016-528782 | マイクロ波集積回路(MMIC)電力増幅器 | 2016年 9月15日 | |
| 特表 2016-528729 | トレンチゲートを有する電界効果デバイスのための強化されたゲート誘電体 | 2016年 9月15日 | |
| 特表 2016-514373 | 埋め込みウェル領域およびエピタキシャル層を有する電界効果型トランジスタデバイス | 2016年 5月19日 | |
| 特表 2016-511545 | 半絶縁性III族窒化物の混合ドーピング | 2016年 4月14日 | |
| 特表 2016-509738 | 自動グルーピングのための照明器具 | 2016年 3月31日 | |
| 特開 2016-29008 | 高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板 | 2016年 3月 3日 | |
| 特表 2016-506613 | 先進装置のパッシベーションにおける水素軽減方法 | 2016年 3月 3日 | |
| 特表 2016-506081 | ゲート酸化膜層において電界を低下させた半導体デバイス | 2016年 2月25日 | |
| 特表 2016-506080 | トランジスタ構造およびその製造方法 | 2016年 2月25日 | |
| 特表 2016-506050 | 分散制御のための照明器具 | 2016年 2月25日 | |
| 特表 2016-505209 | 光導波体およびこれを用いた照明器具 | 2016年 2月18日 |
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2016-189480 2016-532293 2016-530712 2016-529720 2016-528782 2016-528729 2016-514373 2016-511545 2016-509738 2016-29008 2016-506613 2016-506081 2016-506080 2016-506050 2016-505209
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