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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第512位 61件 (2022年:第793位 34件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第1002位 22件 (2022年:第1019位 22件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2023-553358 | フィンFETパワー半導体デバイス | 2023年12月21日 | |
特表 2023-552373 | 測定改善のための半導体デバイス及び関係する方法 | 2023年12月15日 | |
特表 2023-551901 | ソフトな回復のボディ・ダイオードを有するパワー・トランジスタ | 2023年12月13日 | |
特開 2023-175916 | トランジスタの短絡保護のためのデバイス設計 | 2023年12月12日 | |
特開 2023-176028 | 電子濃度を低減するための構造および電子濃度を低減するためのプロセス | 2023年12月12日 | |
特表 2023-550032 | 複数のゲート・トレンチを有する半導体パワー・デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2023年11月30日 | |
特表 2023-549784 | PCBルーティングを備えるパッケージングされたRF電力装置 | 2023年11月29日 | |
特表 2023-549312 | 内部防湿層を備えるRFパッケージ | 2023年11月24日 | |
特表 2023-549420 | 電力モジュール | 2023年11月24日 | |
特表 2023-548547 | センサ配置を有する半導体デバイスのための保護構造 | 2023年11月17日 | |
特表 2023-548290 | 半導体デバイスのためのパッシベーション構造 | 2023年11月16日 | |
特表 2023-548037 | 傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス | 2023年11月15日 | |
特表 2023-548147 | 改善されたダイ・アタッチを有するトランジスタ・パッケージ | 2023年11月15日 | |
特開 2023-164888 | ハイブリッドパワーモジュール | 2023年11月14日 | |
特表 2023-546926 | トレンチ付きゲートを含むパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2023年11月 8日 |
61 件中 1-15 件を表示
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2023-553358 2023-552373 2023-551901 2023-175916 2023-176028 2023-550032 2023-549784 2023-549312 2023-549420 2023-548547 2023-548290 2023-548037 2023-548147 2023-164888 2023-546926
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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9月25日(水) - 東京 千代田区
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9月27日(金) - 東京 港区
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