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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第667位 40件
(
2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第703位 35件
(
2023年:第1000位 22件)
(ランキング更新日:2026年10月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2024-174923 | 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 | 2024年12月17日 | |
| 特表 2024-543417 | 小型パワーモジュール | 2024年11月21日 | |
| 特開 2024-161029 | 改善された性能及び信頼性を有する高電子移動度トランジスタ及びそのトランジスタを含む電力増幅器 | 2024年11月15日 | |
| 特表 2024-541525 | パワー半導体デバイスのためのエッジ終端及び関連する製造方法 | 2024年11月 8日 | |
| 特開 2024-156010 | シリコンカーバイド基板に深く注入されたP-型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ | 2024年10月31日 | |
| 特開 2024-152895 | 埋込みp型層を有する第III族窒化物高電子移動度トランジスタおよびその作製プロセス | 2024年10月25日 | |
| 特表 2024-537365 | オーミックコンタクトを備えるトランジスタ | 2024年10月10日 | |
| 特開 2024-133529 | 改善されたサーマルバジェットを有する半導体および改善されたサーマルバジェットを有する半導体を作製するプロセス | 2024年10月 2日 | |
| 特表 2024-534319 | 基板凹所を組み込んだ半導体デバイス | 2024年 9月20日 | |
| 特開 2024-119826 | 高電力用途のための電力モジュール | 2024年 9月 3日 | |
| 特開 2024-116270 | 大口径炭化ケイ素ウェハ | 2024年 8月27日 | |
| 特表 2024-530305 | 改善された熱性能のためのパワー半導体デバイスの配置 | 2024年 8月16日 | |
| 特表 2024-527909 | 改善された湿度性能のためのカプセル化スタック及び関連する製作方法 | 2024年 7月26日 | |
| 特表 2024-526869 | ターンオン/ターンオフ挙動のバランスのための非対称な集積集中ゲート抵抗器及び/又はパワー処理の向上のための複数の離間した集中ゲート抵抗器を有する半導体デバイス | 2024年 7月19日 | |
| 特表 2024-524057 | 集積受動デバイス(IPD)構成要素およびパッケージならびにこれらを実施する方法 | 2024年 7月 5日 |
40 件中 1-15 件を表示
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2024-174923 2024-543417 2024-161029 2024-541525 2024-156010 2024-152895 2024-537365 2024-133529 2024-534319 2024-119826 2024-116270 2024-530305 2024-527909 2024-526869 2024-524057
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