ホーム > 特許ランキング > クリー インコーポレイテッド > 2026年の出願公開
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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第693位 32件
(
2025年:第745位 34件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第858位 20件
(
2025年:第625位 37件)
(ランキング更新日:2026年10月28日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2026-94254 | 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 | 2026年 6月 9日 | |
| 特開 2026-88443 | シリコンカーバイド結晶性材料のための光吸収の低減 | 2026年 5月28日 | |
| 特表 2026-516365 | 注入形成された電荷補償領域を有するMOSFET | 2026年 5月22日 | |
| 特表 2026-513633 | ベリリウム金属被膜を含むパワー半導体デバイス | 2026年 4月28日 | |
| 特表 2026-513480 | 低障壁高さのショットキー接触を有する半導体デバイス | 2026年 4月27日 | |
| 特開 2026-48816 | 大口径炭化ケイ素ウェハ | 2026年 3月17日 | |
| 特表 2026-508423 | 窒素極性III族窒化物半導体デバイスの電界低減構造 | 2026年 3月10日 | |
| 特表 2026-507915 | パワー半導体パッケージ | 2026年 3月 6日 | |
| 特表 2026-506700 | 金属窒化物コアシェル粒子のダイアタッチ材 | 2026年 2月25日 | |
| 特表 2026-506472 | 機械的堅牢性を向上させ、応力及び電界集中を低減するための矩形でない半導体ダイを有するパワー半導体デバイス | 2026年 2月25日 | |
| 特表 2026-506322 | 自己整合トレンチ・シールド領域を有するゲート・トレンチ・パワー半導体デバイス及び関連する方法 | 2026年 2月24日 | |
| 特開 2026-22654 | ハイブリッドパワーモジュール | 2026年 2月12日 | |
| 特開 2026-15581 | センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス | 2026年 1月29日 | |
| 特開 2026-12201 | 電子濃度を低減するための構造および電子濃度を低減するためのプロセス | 2026年 1月23日 | |
| 特表 2026-500981 | 熱的に強化されたパワー半導体パッケージ | 2026年 1月 9日 |
32 件中 16-30 件を表示
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2026-94254 2026-88443 2026-516365 2026-513633 2026-513480 2026-48816 2026-508423 2026-507915 2026-506700 2026-506472 2026-506322 2026-22654 2026-15581 2026-12201 2026-500981
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