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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第928位 26件 (2023年:第865位 31件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第834位 28件 (2023年:第1078位 20件)
(ランキング更新日:2025年1月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7514855 | 破断可能な組立体用の保持デバイス | 2024年 7月11日 | |
特許 7510434 | キャリア基板へ有用層を移転するためのプロセス | 2024年 7月 3日 | |
特許 7505151 | 複数のウエハ組立体を破砕するためのシステム | 2024年 6月25日 | |
特許 7500911 | キャリア基板へ有用層を移転するためのプロセス | 2024年 6月18日 | |
特許 7500913 | 弾性波デバイス用の変換器構造体 | 2024年 6月18日 | |
特許 7480448 | 無線周波数用途のための半導体・オン・インシュレータ構造用のレシーバ基板を製造するためのプロセス及び係る構造を製造するためのプロセス | 2024年 5月10日 | |
特許 7480930 | 表面弾性波デバイス用のハイブリッド構造及び関連する製造方法 | 2024年 5月10日 | |
特許 7480936 | RFID及びセンサ用途のためのSAWタグ用複合基板 | 2024年 5月10日 | |
特許 7467805 | 前面撮像素子及びそのような撮像素子を製造するための方法 | 2024年 4月16日 | |
特許 7451845 | PZT材料の結晶層を製造するための方法、及びPZT材料の結晶層をエピタキシャル成長させるための基板 | 2024年 3月19日 | |
特許 7451846 | AlN材料の単結晶膜を生成するための方法、及びAlN材料の単結晶膜をエピタキシャル成長させるための基板 | 2024年 3月19日 | |
特許 7408893 | ダイヤモンド又はイリジウム材料の単結晶層を製造するための方法、及びダイヤモンド又はイリジウム材料の単結晶層をエピタキシャル成長させるための基板 | 2024年 1月 9日 | |
特許 7408896 | 共振キャビティ表面音響波(SAW)フィルタ | 2024年 1月 9日 |
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7514855 7510434 7505151 7500911 7500913 7480448 7480930 7480936 7467805 7451845 7451846 7408893 7408896
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1月15日(水) -
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1月17日(金) -
1月17日(金) -
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1月14日(火) - 東京 港区
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