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ソイテック

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2024-545586	シリコンオンインシュレータ上のＩＩＩ族窒化物半導体構造およびそれを成長させる方法	2024年12月10日
特表 2024-544472	強誘電体材料の薄膜を準備するためのプロセス	2024年12月 3日
特表 2024-543550	多結晶シリコンカーバイド基板と単結晶シリコンカーバイドの活性層とを備える半導体構造の製造のためのプロセス	2024年11月21日
特表 2024-542941	フォトニック電子集積回路チップおよびその製造方法	2024年11月19日
特表 2024-541052	電荷トラップ層が設けられた支持基板を用意するための方法	2024年11月 6日
特開 2024-152739	横モードが抑制された単一ポート共振器のためのトランスデューサ構造	2024年10月25日
特表 2024-537777	多結晶ＳｉＣでできた担体基板上に単結晶ＳｉＣでできた薄層を含む複合構造を製作するための方法	2024年10月16日
特表 2024-536118	多結晶ＳｉＣからなるキャリア基板上に単結晶ＳｉＣからなる機能層を備えている複合構造体及び前記構造体を製造するためのプロセス	2024年10月 4日
特表 2024-535671	光電子用途のための半導体構造体	2024年10月 2日
特表 2024-535267	多結晶炭化ケイ素支持基板を製造するためのプロセス	2024年 9月30日
特表 2024-533618	多結晶ＳｉＣから作られているキャリア基板に単結晶ＳｉＣから作られている薄層を備える複合構造体を製作するためのプロセス	2024年 9月12日
特表 2024-533774	多結晶ＳｉＣの中間層を使用して単結晶ＳｉＣの層を多結晶ＳｉＣキャリアに転写するためのプロセス	2024年 9月12日
特表 2024-532199	キャリア基板の前面に有用な層を転写するための方法	2024年 9月 5日
特表 2024-526585	圧電基板に原子種を注入する方法	2024年 7月19日
特表 2024-526687	圧電基板の注入プロセスで使用するための保持デバイス構成	2024年 7月19日

26 件中 1-15 件を表示

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2024-545586 2024-544472 2024-543550 2024-542941 2024-541052 2024-152739 2024-537777 2024-536118 2024-535671 2024-535267 2024-533618 2024-533774 2024-532199 2024-526585 2024-526687

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