ソイテック
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第928位 26件
（
2023年：第865位 31件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第834位 28件
（
2023年：第1078位 20件）
（ランキング更新日：2025年1月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ソイテックの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2024-545586 | シリコンオンインシュレータ上のＩＩＩ族窒化物半導体構造およびそれを成長させる方法 | 2024年12月10日 | |
| 特表 2024-544472 | 強誘電体材料の薄膜を準備するためのプロセス | 2024年12月 3日 | |
| 特表 2024-543550 | 多結晶シリコンカーバイド基板と単結晶シリコンカーバイドの活性層とを備える半導体構造の製造のためのプロセス | 2024年11月21日 | |
| 特表 2024-542941 | フォトニック電子集積回路チップおよびその製造方法 | 2024年11月19日 | |
| 特表 2024-541052 | 電荷トラップ層が設けられた支持基板を用意するための方法 | 2024年11月 6日 | |
| 特開 2024-152739 | 横モードが抑制された単一ポート共振器のためのトランスデューサ構造 | 2024年10月25日 | |
| 特表 2024-537777 | 多結晶ＳｉＣでできた担体基板上に単結晶ＳｉＣでできた薄層を含む複合構造を製作するための方法 | 2024年10月16日 | |
| 特表 2024-536118 | 多結晶ＳｉＣからなるキャリア基板上に単結晶ＳｉＣからなる機能層を備えている複合構造体及び前記構造体を製造するためのプロセス | 2024年10月 4日 | |
| 特表 2024-535671 | 光電子用途のための半導体構造体 | 2024年10月 2日 | |
| 特表 2024-535267 | 多結晶炭化ケイ素支持基板を製造するためのプロセス | 2024年 9月30日 | |
| 特表 2024-533618 | 多結晶ＳｉＣから作られているキャリア基板に単結晶ＳｉＣから作られている薄層を備える複合構造体を製作するためのプロセス | 2024年 9月12日 | |
| 特表 2024-533774 | 多結晶ＳｉＣの中間層を使用して単結晶ＳｉＣの層を多結晶ＳｉＣキャリアに転写するためのプロセス | 2024年 9月12日 | |
| 特表 2024-532199 | キャリア基板の前面に有用な層を転写するための方法 | 2024年 9月 5日 | |
| 特表 2024-526585 | 圧電基板に原子種を注入する方法 | 2024年 7月19日 | |
| 特表 2024-526687 | 圧電基板の注入プロセスで使用するための保持デバイス構成 | 2024年 7月19日 |
26 件中 1-15 件を表示
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2024-545586 2024-544472 2024-543550 2024-542941 2024-541052 2024-152739 2024-537777 2024-536118 2024-535671 2024-535267 2024-533618 2024-533774 2024-532199 2024-526585 2024-526687
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