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エスティーマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ．ブイ．
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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第594位 8件
（
2024年：第2034位 10件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第8574位 0件
（2024年：第27650位 0件）
（ランキング更新日：2025年3月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスティーマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ．ブイ．の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2025-28820 | 可変ドーパント濃度を有するシリコンカーバイドパワーデバイスのための製造プロセス | 2025年 3月 5日 | |
| 特開 2025-23889 | パッシベーション層の耐久性を向上させるための方法 | 2025年 2月19日 | |
| 特開 2025-23900 | ヘテロ構造に基づく電子部品を備える半導体電子デバイス及び製造プロセス | 2025年 2月19日 | |
| 特開 2025-23901 | 異なる電子部品を集積する半導体電子デバイスの製造プロセス、及び半導体電子デバイス | 2025年 2月19日 | |
| 特開 2025-23902 | 異なる電子部品を集積する半導体電子デバイスの製造プロセス、及び半導体電子デバイス | 2025年 2月19日 | |
| 特開 2025-23903 | ヘテロ構造に基づく電子部品を集積して、機械的応力を低減した半導体電子デバイス | 2025年 2月19日 | |
| 特開 2025-13749 | ＳｉＣデバイスのための表面オーミックコンタクト形成 | 2025年 1月28日 | |
| 特開 2025-13750 | 高出力電気ダイオード上にオーム接触を形成する方法 | 2025年 1月28日 |
8 件中 1-8 件を表示
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2025-28820 2025-23889 2025-23900 2025-23901 2025-23902 2025-23903 2025-13749 2025-13750
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