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エスティーマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ．ブイ．
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第2034位 10件
（
2023年：第35905位 0件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第27650位 0件
（
2023年：第10364位 1件）
（ランキング更新日：2025年1月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エスティーマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ．ブイ．の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2024-178113 | 改善された電気的性能を有するパワーエレクトロニクスデバイス | 2024年12月24日 | |
| 特開 2024-166088 | ゲートドライバデバイスのための安全回路、対応するゲートドライバデバイス及びドライバシステム | 2024年11月28日 | |
| 特開 2024-163980 | 半導体パッケージ、半導体パッケージの形成方法、及びパワーモジュール | 2024年11月26日 | |
| 特開 2024-153563 | 多結晶シリコンカーバイド基板及びその製造方法 | 2024年10月29日 | |
| 特開 2024-147517 | 密度勾配を有する多結晶シリコンカーバイド基板及びその製造方法 | 2024年10月16日 | |
| 特開 2024-147519 | 低い抵抗率の多結晶ベース基板又はウエハ | 2024年10月16日 | |
| 特開 2024-125279 | シリコンカーバイドパワー電子デバイス内に局所化イオン注入部を製造するためのプロセス | 2024年 9月18日 | |
| 特開 2024-125202 | 自動位置合わせされたＣＳＬとエッジ終端構造とを有する電子デバイス並びにその製造方法 | 2024年 9月13日 | |
| 特開 2024-125203 | 電流拡散層を有するパワー電子デバイスを製造するためのプロセス | 2024年 9月13日 | |
| 特開 2024-109061 | 改善された性能を有するシリコンカーバイドパワーＭＯＳＦＥＴデバイス及びその製造プロセス | 2024年 8月13日 | |
| 特開 2024-76993 | 多層及び多機能パッシベーションを有するＳＩＣベースの電子デバイス、及び電子デバイスを製造する方法 | 2024年 6月 6日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2024-178113 2024-166088 2024-163980 2024-153563 2024-147517 2024-147519 2024-125279 2024-125202 2024-125203 2024-109061 2024-76993
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