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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1878位 12件
(2021年:第3208位 6件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1537位 13件
(2021年:第1475位 12件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2022-551171 | 半導体材料の単結晶を引き上げるための装置および方法 | 2022年12月 7日 | |
特表 2022-546127 | 単結晶シリコンから半導体ウェハを製造する方法 | 2022年11月 2日 | |
特表 2022-540167 | シリコン単結晶をチョクラルスキー法によって引き上げる方法 | 2022年 9月14日 | |
特表 2022-538517 | ワイヤソーによる複数のスライス作業中に被加工物から複数のウェハをスライスして切り出す方法、および単結晶ケイ素の半導体ウェハ | 2022年 9月 5日 | |
特表 2022-537523 | 半導体ウェハを研磨するための設備および方法 | 2022年 8月26日 | |
特開 2022-122935 | 単結晶シリコンで構成された半導体ウェハ | 2022年 8月23日 | |
特表 2022-536520 | シリコンウェハの製造方法 | 2022年 8月17日 | |
特表 2022-534935 | ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置 | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-534373 | 半導体ウェハの製造方法 | 2022年 7月29日 | |
特表 2022-513289 | ワイヤーソーによって半導体ウェーハを生成するための方法 | 2022年 2月 7日 | |
特表 2022-510011 | ワイヤソーによって半導体ウェハを製造するための方法、ワイヤソー、および、単結晶シリコンの半導体ウェハ | 2022年 1月25日 | |
特表 2022-504729 | CZ法により半導体材料の単結晶を溶融物から引上げるための装置およびこれを用いた方法 | 2022年 1月13日 |
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2022-551171 2022-546127 2022-540167 2022-538517 2022-537523 2022-122935 2022-536520 2022-534935 2022-534373 2022-513289 2022-510011 2022-504729
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