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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第979位 27件 (2022年:第1878位 12件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第1999位 9件 (2022年:第1537位 13件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2023-549737 | 基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法 | 2023年11月29日 | |
特表 2023-548649 | 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法および装置 | 2023年11月20日 | |
特表 2023-548233 | 半導体ウェハの表面上の未知の粒子を分類する方法 | 2023年11月15日 | |
特表 2023-543662 | 基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置および方法 | 2023年10月18日 | |
特表 2023-543395 | 基板上にシリコンゲルマニウム層を堆積する方法 | 2023年10月16日 | |
特表 2023-541796 | 基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法 | 2023年10月 4日 | |
特表 2023-539008 | 単結晶シリコンの結晶片 | 2023年 9月13日 | |
特表 2023-538494 | ワークピースから複数のスライスを同時にスライスするための方法および装置 | 2023年 9月 8日 | |
特表 2023-538606 | 半導体ワークピースのための真空把持部を生成するための方法、および真空把持部 | 2023年 9月 8日 | |
特表 2023-537561 | 一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法 | 2023年 9月 4日 | |
特表 2023-537465 | スリットバルブ通路装置においてパージガスのガスカーテンを発生させるための方法、およびスリットバルブ通路装置 | 2023年 9月 1日 | |
特表 2023-536220 | 単結晶シリコンから作られる半導体ウエハおよびその製造方法 | 2023年 8月24日 | |
特表 2023-534608 | 一連の切断動作中にワイヤソーによって被加工物から複数のスライスを切断する方法 | 2023年 8月10日 | |
特表 2023-534119 | 一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法 | 2023年 8月 8日 | |
特表 2023-532001 | 半導体ウェハの製造方法 | 2023年 7月26日 |
27 件中 1-15 件を表示
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2023-549737 2023-548649 2023-548233 2023-543662 2023-543395 2023-541796 2023-539008 2023-538494 2023-538606 2023-537561 2023-537465 2023-536220 2023-534608 2023-534119 2023-532001
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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9月25日(水) - 東京 千代田区
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