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ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト

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  2020年 出願公開件数ランキング    第1571位 15件 上昇2019年:第1916位 12件)

  2020年 特許取得件数ランキング    第2152位 7件 上昇2019年:第2333位 6件)

(ランキング更新日:2024年11月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2020-531401 n型ドーパントでドープされた<100>方位を有するシリコンの単結晶、およびそのような単結晶の製造方法 2020年11月 5日
特表 2020-532139 ヘテロエピタキシャルウェハおよびヘテロエピタキシャルウェハの製造方法 2020年11月 5日
特表 2020-529958 単結晶シリコンの半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 2020年10月15日
特表 2020-529127 単結晶シリコンのエピタキシャル被覆半導体ウェハおよびその製造方法 2020年10月 1日
特表 2020-526472 単結晶シリコンから作られる半導体ウェハおよびその製造プロセス 2020年 8月31日
特表 2020-524908 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ 2020年 8月20日
特表 2020-524909 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ 2020年 8月20日
特表 2020-518129 半導体ウェハの表面上への層の堆積の間に配向ノッチを有する半導体ウェハを保持するためのサセプタおよびサセプタを用いることによって層を堆積する方法 2020年 6月18日
特表 2020-513313 ポリシリコンのための分離装置 2020年 5月14日
特表 2020-513682 半導体ウェハを両面研磨する方法 2020年 5月14日
特表 2020-507484 ワイヤソー、ワイヤガイドロール、およびインゴットから複数のウェハを同時に切出すための方法 2020年 3月12日
特表 2020-507548 FZ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント 2020年 3月12日
特表 2020-507553 FZ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント 2020年 3月12日
特表 2020-507554 FZ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント 2020年 3月12日
特表 2020-502028 単結晶シリコンから構成される半導体ウェハおよび単結晶シリコンから構成される半導体ウェハの製造方法 2020年 1月23日

15 件中 1-15 件を表示

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2020-531401 2020-532139 2020-529958 2020-529127 2020-526472 2020-524908 2020-524909 2020-518129 2020-513313 2020-513682 2020-507484 2020-507548 2020-507553 2020-507554 2020-502028

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