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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフト

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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2020-531401	ｎ型ドーパントでドープされた＜１００＞方位を有するシリコンの単結晶、およびそのような単結晶の製造方法	2020年11月 5日
特表 2020-532139	ヘテロエピタキシャルウェハおよびヘテロエピタキシャルウェハの製造方法	2020年11月 5日
特表 2020-529958	単結晶シリコンの半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法	2020年10月15日
特表 2020-529127	単結晶シリコンのエピタキシャル被覆半導体ウェハおよびその製造方法	2020年10月 1日
特表 2020-526472	単結晶シリコンから作られる半導体ウェハおよびその製造プロセス	2020年 8月31日
特表 2020-524908	半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ	2020年 8月20日
特表 2020-524909	半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ	2020年 8月20日
特表 2020-518129	半導体ウェハの表面上への層の堆積の間に配向ノッチを有する半導体ウェハを保持するためのサセプタおよびサセプタを用いることによって層を堆積する方法	2020年 6月18日
特表 2020-513313	ポリシリコンのための分離装置	2020年 5月14日
特表 2020-513682	半導体ウェハを両面研磨する方法	2020年 5月14日
特表 2020-507484	ワイヤソー、ワイヤガイドロール、およびインゴットから複数のウェハを同時に切出すための方法	2020年 3月12日
特表 2020-507548	ＦＺ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント	2020年 3月12日
特表 2020-507553	ＦＺ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント	2020年 3月12日
特表 2020-507554	ＦＺ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント	2020年 3月12日
特表 2020-502028	単結晶シリコンから構成される半導体ウェハおよび単結晶シリコンから構成される半導体ウェハの製造方法	2020年 1月23日

15 件中 1-15 件を表示

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2020-531401 2020-532139 2020-529958 2020-529127 2020-526472 2020-524908 2020-524909 2020-518129 2020-513313 2020-513682 2020-507484 2020-507548 2020-507553 2020-507554 2020-502028

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