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ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第1491位 15件
（
2019年：第1807位 12件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第2151位 7件
（2019年：第2332位 6件）
（ランキング更新日：2026年10月16日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2020-531401 | ｎ型ドーパントでドープされた＜１００＞方位を有するシリコンの単結晶、およびそのような単結晶の製造方法 | 2020年11月 5日 | |
| 特表 2020-532139 | ヘテロエピタキシャルウェハおよびヘテロエピタキシャルウェハの製造方法 | 2020年11月 5日 | |
| 特表 2020-529958 | 単結晶シリコンの半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 | 2020年10月15日 | |
| 特表 2020-529127 | 単結晶シリコンのエピタキシャル被覆半導体ウェハおよびその製造方法 | 2020年10月 1日 | |
| 特表 2020-526472 | 単結晶シリコンから作られる半導体ウェハおよびその製造プロセス | 2020年 8月31日 | |
| 特表 2020-524908 | 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ | 2020年 8月20日 | |
| 特表 2020-524909 | 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ | 2020年 8月20日 | |
| 特表 2020-518129 | 半導体ウェハの表面上への層の堆積の間に配向ノッチを有する半導体ウェハを保持するためのサセプタおよびサセプタを用いることによって層を堆積する方法 | 2020年 6月18日 | |
| 特表 2020-513313 | ポリシリコンのための分離装置 | 2020年 5月14日 | |
| 特表 2020-513682 | 半導体ウェハを両面研磨する方法 | 2020年 5月14日 | |
| 特表 2020-507484 | ワイヤソー、ワイヤガイドロール、およびインゴットから複数のウェハを同時に切出すための方法 | 2020年 3月12日 | |
| 特表 2020-507548 | ＦＺ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント | 2020年 3月12日 | |
| 特表 2020-507553 | ＦＺ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント | 2020年 3月12日 | |
| 特表 2020-507554 | ＦＺ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント | 2020年 3月12日 | |
| 特表 2020-502028 | 単結晶シリコンから構成される半導体ウェハおよび単結晶シリコンから構成される半導体ウェハの製造方法 | 2020年 1月23日 |
15 件中 1-15 件を表示
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2020-531401 2020-532139 2020-529958 2020-529127 2020-526472 2020-524908 2020-524909 2020-518129 2020-513313 2020-513682 2020-507484 2020-507548 2020-507553 2020-507554 2020-502028
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