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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第1916位 12件
(2018年:第3054位 6件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第2333位 6件
(2018年:第2454位 6件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2019-530632 | るつぼに含まれる融解物から半導体材料からなる単結晶を引き上げる方法 | 2019年10月24日 | |
特表 2019-523991 | 半導体ウェハを保持するためのサセプタ、半導体ウェハの表面上にエピタキシャル層を堆積する方法、およびエピタキシャル層を有する半導体ウェハ | 2019年 8月29日 | |
特表 2019-522904 | エピタキシリアクタにおける半導体ウェハを操作するための装置およびエピタシャル層を有する半導体上ウェハを製造するための方法 | 2019年 8月15日 | |
特表 2019-519385 | 予期せぬ中断の後に加工対象物のワイヤ切断プロセスを再開するための方法および装置 | 2019年 7月11日 | |
特表 2019-519933 | コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置 | 2019年 7月11日 | |
特表 2019-514836 | 単結晶シリコンの半導体ウェハを製造するための方法、単結晶シリコンの半導体ウェハを製造するための装置および単結晶シリコンの半導体ウェハ | 2019年 6月 6日 | |
特表 2019-511839 | 微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法 | 2019年 4月25日 | |
特表 2019-505467 | 均質な径方向の酸素変化量を有するシリコンウェハ | 2019年 2月28日 | |
特表 2019-505472 | FZシリコンおよびFZシリコンを準備する方法 | 2019年 2月28日 | |
特表 2019-503960 | 単結晶シリコンから作製される半導体ウェハおよびその製造方法 | 2019年 2月14日 | |
特表 2019-503972 | 単結晶の引上げの間に単結晶の直径を決定および調節するための方法 | 2019年 2月14日 | |
特表 2019-504486 | 半導体ウェハをエピタキシャル被覆するための方法、および半導体ウェハ | 2019年 2月14日 |
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2019-530632 2019-523991 2019-522904 2019-519385 2019-519933 2019-514836 2019-511839 2019-505467 2019-505472 2019-503960 2019-503972 2019-504486
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5月15日(木) - 東京 港区
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月12日(月) -
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5月20日(火) - 東京 品川区
5月20日(火) -
5月21日(水) - 東京 港区
5月21日(水) - 東京 大田区
5月22日(木) - 東京 港区
5月22日(木) -
5月23日(金) - 東京 千代田区
5月23日(金) - 大阪 大阪市
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