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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフト

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　■　2019年出願公開件数ランキング　　　第1807位　12件（2018年：第2911位　6件）

　■　2019年特許取得件数ランキング　　　第2332位　6件（2018年：第2454位　6件）

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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2019-530632	るつぼに含まれる融解物から半導体材料からなる単結晶を引き上げる方法	2019年10月24日
特表 2019-523991	半導体ウェハを保持するためのサセプタ、半導体ウェハの表面上にエピタキシャル層を堆積する方法、およびエピタキシャル層を有する半導体ウェハ	2019年 8月29日
特表 2019-522904	エピタキシリアクタにおける半導体ウェハを操作するための装置およびエピタシャル層を有する半導体上ウェハを製造するための方法	2019年 8月15日
特表 2019-519385	予期せぬ中断の後に加工対象物のワイヤ切断プロセスを再開するための方法および装置	2019年 7月11日
特表 2019-519933	コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置	2019年 7月11日
特表 2019-514836	単結晶シリコンの半導体ウェハを製造するための方法、単結晶シリコンの半導体ウェハを製造するための装置および単結晶シリコンの半導体ウェハ	2019年 6月 6日
特表 2019-511839	微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法	2019年 4月25日
特表 2019-505467	均質な径方向の酸素変化量を有するシリコンウェハ	2019年 2月28日
特表 2019-505472	ＦＺシリコンおよびＦＺシリコンを準備する方法	2019年 2月28日
特表 2019-503960	単結晶シリコンから作製される半導体ウェハおよびその製造方法	2019年 2月14日
特表 2019-503972	単結晶の引上げの間に単結晶の直径を決定および調節するための方法	2019年 2月14日
特表 2019-504486	半導体ウェハをエピタキシャル被覆するための方法、および半導体ウェハ	2019年 2月14日

12 件中 1-12 件を表示

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2019-530632 2019-523991 2019-522904 2019-519385 2019-519933 2019-514836 2019-511839 2019-505467 2019-505472 2019-503960 2019-503972 2019-504486

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