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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフト

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　■　2024年出願公開件数ランキング　　　第1174位　20件（2023年：第979位　27件）

　■　2024年特許取得件数ランキング　　　第1048位　21件（2023年：第1999位　9件）

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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2024-541342	半導体ウェハを洗浄するための方法	2024年11月 8日
特開 2024-147585	単結晶シリコンの結晶片	2024年10月16日
特表 2024-532588	単結晶シリコン半導体ウェハおよびそれを製造するための方法	2024年 9月 5日
特表 2024-531528	半導体ウェハを研削する方法	2024年 8月29日
特表 2024-530812	シリコンの単結晶の製造プロセス	2024年 8月23日
特表 2024-530248	単結晶シリコンからエピタキシャルコーティングされた半導体ウェハを製造する方法	2024年 8月16日
特表 2024-528341	単結晶シリコンロッドの製造デバイスおよび製造方法	2024年 7月29日
特表 2024-526905	基板上に酸化ガリウム層を生成する方法	2024年 7月19日
特表 2024-522523	ワークピースから複数のディスクを同時に切り出すための方法	2024年 6月21日
特表 2024-522528	堆積装置内の半導体材料の基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法	2024年 6月21日
特表 2024-518032	気相のエピタキシャル層を含む半導体ウェハを堆積チャンバ内で製造する方法	2024年 4月24日
特表 2024-517393	堆積室において気相から堆積させたエピタキシャル層を有する半導体ウェハを製造するための方法	2024年 4月22日
特表 2024-516121	堆積チャンバにおいて気相から堆積されるエピタキシャル層を有する半導体ウェーハを製造するためのプロセス	2024年 4月12日
特表 2024-514287	ゾーン引上げ設備においてシリコンから単結晶ロッドを製造するための装置および方法	2024年 4月 1日
特表 2024-514236	堆積リアクタのチャンバ内でエピタキシャル層を有する半導体ウェハを製造する方法	2024年 3月29日

20 件中 1-15 件を表示

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2024-541342 2024-147585 2024-532588 2024-531528 2024-530812 2024-530248 2024-528341 2024-526905 2024-522523 2024-522528 2024-518032 2024-517393 2024-516121 2024-514287 2024-514236

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