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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7606048 | 半導体プロセスチャンバ、半導体プロセス装置及び半導体プロセス方法 | 2024年12月24日 | |
特許 7602627 | 温度変化速度の制御装置、方法及び半導体プロセス装置 | 2024年12月18日 | |
特許 7598462 | 半導体熱処理設備の載置装置及び半導体熱処理設備 | 2024年12月11日 | |
特許 7598495 | プラズマを生成するためのコイル装置及び半導体プロセス装置 | 2024年12月11日 | |
特許 7594710 | 半導体プロセス装置及びそのウェハ支持構造 | 2024年12月 4日 | |
特許 7588254 | 半導体プロセスデバイスにおける載置装置及び半導体プロセスデバイス | 2024年11月21日 | |
特許 7576176 | メタルハードマスクのエッチング方法 | 2024年10月30日 | |
特許 7576191 | プラズマを生成するためのコイル構造及び半導体プロセス装置 | 2024年10月30日 | |
特許 7558408 | 静電チャック及び半導体プロセス装置 | 2024年 9月30日 | |
特許 7557548 | 加熱装置および半導体処理装置 | 2024年 9月27日 | |
特許 7540090 | 半導体プロセス装置及び電力制御方法 | 2024年 8月26日 | |
特許 7530519 | シリコンチップのエッチング方法 | 2024年 8月 7日 | |
特許 7522931 | 酸化物薄膜の製造方法 | 2024年 7月25日 | |
特許 7495577 | 半導体反応チャンバ | 2024年 6月 4日 | |
特許 7482328 | 半導体プロセス装置及びプラズマ点火方法 | 2024年 5月13日 |
25 件中 1-15 件を表示
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7606048 7602627 7598462 7598495 7594710 7588254 7576176 7576191 7558408 7557548 7540090 7530519 7522931 7495577 7482328
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1月11日(土) -
1月11日(土) -
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1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月18日(土) -
1月14日(火) - 東京 港区
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