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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第75位 404件
(
2023年:第77位 397件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第49位 523件
(
2023年:第53位 556件)
(ランキング更新日:2025年11月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7452187 | 重金属イオンの拡散性の評価方法、及び、構造体の製造方法 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452265 | 接着剤、及び接着体 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452266 | 接着剤、及び接着体 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452276 | 単結晶製造装置及びSiC単結晶の製造方法 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452287 | 封止用樹脂組成物の製造方法、封止用樹脂組成物、電子部品装置の製造方法、及び電子部品装置 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452417 | 樹脂ワニス、プリプレグ、積層板、プリント配線板及び半導体パッケージ | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452418 | 異方性導電フィルム及びその製造方法並びに接続構造体の製造方法 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452419 | はんだ粒子及びはんだ粒子の製造方法 | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7452545 | 支持片の製造方法、半導体装置の製造方法、及び支持片形成用積層フィルム | 2024年 3月19日 | |
| 特許 7451615 | 粉末、このような粉末を含む電極及び電池 | 2024年 3月18日 | |
| 特許 7447392 | SiC基板の評価方法及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 | 2024年 3月12日 | |
| 特許 7447431 | 単結晶成長方法 | 2024年 3月12日 | |
| 特許 7447459 | 積層フィルム、配線基板を製造する方法、及び半導体装置を製造する方法 | 2024年 3月12日 | |
| 特許 7447485 | 高重合性N-ビニルカルボン酸アミド単量体の製造方法 | 2024年 3月12日 | |
| 特許 7447486 | 高重合性N-ビニルカルボン酸アミド単量体の製造方法 | 2024年 3月12日 |
532 件中 406-420 件を表示
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7452187 7452265 7452266 7452276 7452287 7452417 7452418 7452419 7452545 7451615 7447392 7447431 7447459 7447485 7447486
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