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アイクストロン、エスイー

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  2024年 出願公開件数ランキング    第3594位 5件 下降2023年:第2149位 10件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第1722位 11件 上昇2023年:第1732位 11件)

(ランキング更新日:2025年1月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7587581 CVDリアクタ用のガス導入装置 2024年11月20日
特許 7579323 CVDリアクタ用のガス導入部材 2024年11月 7日
特許 7547376 ガリウム及びインジウムを含む半導体層システムの堆積方法 2024年 9月 9日
特許 7539401 CVDリアクタのサセプタ構造 2024年 8月23日
特許 7475357 サセプタ温度に局所的に影響を及ぼす手段を有するCVDリアクタ 2024年 4月26日
特許 7461351 CVDリアクタ用のガス入口装置 2024年 4月 3日
特許 7460621 CVDリアクタの構成要素の製造方法 2024年 4月 2日
特許 7458400 CVDリアクタのサセプタ 2024年 3月29日
特許 7441791 個別識別子を付与されたCVD装置部品及びその情報伝達方法 2024年 3月 1日
特許 7441794 核生成層の堆積方法 2024年 3月 1日
特許 7439056 CVDリアクタの設定又は稼動方法 2024年 2月27日

11 件中 1-11 件を表示

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7587581 7579323 7547376 7539401 7475357 7461351 7460621 7458400 7441791 7441794 7439056

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