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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第570位 60件 (2011年:第621位 55件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第926位 32件 (2011年:第785位 36件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-107327 | 無電解めっきのための安定なナノ粒子 | 2012年 6月 7日 | |
特開 2012-103679 | フォトレジスト組成物およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 | 2012年 5月31日 | 共同出願 |
特開 2012-102319 | セレン/第1B族/第3A族インク、並びにその製造方法および使用方法 | 2012年 5月31日 | |
特開 2012-92434 | シアン化物を含まない銀電気めっき液 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-94859 | 金属コンタクトを形成する改良された方法 | 2012年 5月17日 | 共同出願 |
特開 2012-89829 | 半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-82527 | 供給装置 | 2012年 4月26日 | |
特開 2012-78830 | 下層組成物および下層を像形成する方法 | 2012年 4月19日 | 共同出願 |
特開 2012-78828 | 下層組成物および下層を像形成する方法 | 2012年 4月19日 | 共同出願 |
特開 2012-73612 | マルチアミド成分を含むフォトレジスト | 2012年 4月12日 | |
特開 2012-67388 | ニッケル上に銀ストライクを電気めっきする方法 | 2012年 4月 5日 | |
特開 2012-52226 | 送達装置およびその使用方法 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-52222 | ナノ粒子の組成物 | 2012年 3月15日 | |
特開 2012-32782 | フォトレジスト組成物およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 | 2012年 2月16日 | |
特開 2012-31134 | 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト | 2012年 2月16日 |
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2012-107327 2012-103679 2012-102319 2012-92434 2012-94859 2012-89829 2012-82527 2012-78830 2012-78828 2012-73612 2012-67388 2012-52226 2012-52222 2012-32782 2012-31134
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11月26日(火) -
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11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
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11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月26日(火) -
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