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キヤノンアネルバ株式会社
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第870位 33件
（
2013年：第724位 46件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第412位 88件
（
2013年：第654位 50件）
（ランキング更新日：2025年3月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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キヤノンアネルバ株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5406279 | 基板処理方法および結晶性炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の製造方法 | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5406067 | トレイ及び真空処理装置 | 2014年 2月 5日 | |
| 特許 5395255 | 電子デバイスの製造方法およびスパッタリング方法 | 2014年 1月22日 | |
| 特許 5395271 | 基板搬送装置、電子デバイスの製造システムおよび電子デバイスの製造方法 | 2014年 1月22日 | |
| 特許 5396225 | コンバージョン型イオン検出ユニット | 2014年 1月22日 | |
| 特許 5390631 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 | 2014年 1月15日 | |
| 特許 5390330 | 基板処理装置およびそのクリーニング方法 | 2014年 1月15日 | |
| 特許 5390715 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 | 2014年 1月15日 | |
| 特許 5390343 | 質量分析方法およびそれに用いる質量分析装置 | 2014年 1月15日 | |
| 特許 5380525 | 真空加熱冷却装置 | 2014年 1月 8日 | |
| 特許 5382744 | 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法 | 2014年 1月 8日 | |
| 特許 5380263 | イオンビーム発生器 | 2014年 1月 8日 | |
| 特許 5380464 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および被処理基板を備える素子の製造方法 | 2014年 1月 8日 |
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5406279 5406067 5395255 5395271 5396225 5390631 5390330 5390715 5390343 5380525 5382744 5380263 5380464
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