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キヤノンアネルバ株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第682位 50件
（
2016年：第1509位 16件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第842位 26件
（
2016年：第506位 54件）
（ランキング更新日：2025年3月14日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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キヤノンアネルバ株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6231399 | 処理装置 | 2017年11月15日 | |
| 特許 6196384 | 成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置 | 2017年 9月13日 | |
| 特許 6190563 | Ｘ線発生装置及びＸ線撮影システム | 2017年 8月30日 | |
| 特許 6184441 | イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置 | 2017年 8月23日 | |
| 特許 6177492 | 冷陰極電離真空計及び冷陰極電離真空計用カートリッジ | 2017年 8月 9日 | |
| 特許 6154943 | スパッタリング装置 | 2017年 6月28日 | |
| 特許 6145162 | イオンビーム処理装置、電極アセンブリ及び電極アセンブリの洗浄方法 | 2017年 6月14日 | |
| 特許 6138143 | 半導体装置の製造方法 | 2017年 5月31日 | |
| 特許 6131113 | 冷陰極電離真空計及び内壁保護部材 | 2017年 5月17日 | |
| 特許 6126302 | 成膜装置 | 2017年 5月10日 | |
| 特許 6126620 | 基板処理装置 | 2017年 5月10日 | |
| 特許 6121576 | 成膜装置 | 2017年 4月26日 | |
| 特許 6118458 | イオンビームエッチング方法およびイオンビームエッチング装置 | 2017年 4月19日 | |
| 特許 6095806 | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング装置 | 2017年 3月15日 | |
| 特許 6095829 | スパッタリング装置および基板処理装置 | 2017年 3月15日 |
26 件中 1-15 件を表示
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6231399 6196384 6190563 6184441 6177492 6154943 6145162 6138143 6131113 6126302 6126620 6121576 6118458 6095806 6095829
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