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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第207位 254件 (2016年:第200位 217件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第227位 136件 (2016年:第268位 121件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2017-533585 | 付加製造プロセスにより製作される研磨パッド | 2017年11月 9日 | |
特表 2017-533586 | 付加製造プロセスにより製作される研磨パッド | 2017年11月 9日 | |
特表 2017-533599 | サーマルリッドを有する原子層堆積チャンバ | 2017年11月 9日 | |
特開 2017-201061 | 誘電体材料の堆積速度および成長動態を高める多重周波数スパッタリング | 2017年11月 9日 | |
特開 2017-201700 | ピクセル化された容量制御ESC | 2017年11月 9日 | |
特開 2017-201705 | 対称給電構造を有する基板サポート | 2017年11月 9日 | |
特表 2017-532736 | 保護された負極を有する電気化学セル | 2017年11月 2日 | |
特表 2017-532737 | 2次電池電極のための高固形分ペースト製剤 | 2017年11月 2日 | |
特表 2017-532779 | 自己整合代替フィン形成 | 2017年11月 2日 | |
特表 2017-532790 | 流体をスプレー本体の下方へ且つ入口ポートへ向けて誘導するように方向付けられた流体出口を採用する研磨パッド洗浄システム、及びそれに関連する方法 | 2017年11月 2日 | |
特開 2017-199907 | 半導体処理チャンバコンポーネント用の保護コーティングの原子層堆積 | 2017年11月 2日 | |
特開 2017-199910 | 水溶性ダイアタッチフィルムを用いたレーザ・プラズマエッチングウェハダイシング | 2017年11月 2日 | |
特表 2017-531920 | 高温酸化ケイ素原子層堆積技術 | 2017年10月26日 | |
特表 2017-531921 | 2層ALDを用いた正確な限界寸法制御 | 2017年10月26日 | |
特開 2017-193047 | 印刷による化学機械研磨パッド | 2017年10月26日 |
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2017-533585 2017-533586 2017-533599 2017-201061 2017-201700 2017-201705 2017-532736 2017-532737 2017-532779 2017-532790 2017-199907 2017-199910 2017-531920 2017-531921 2017-193047
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