ホーム > 特許ランキング > トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド > 2021年 > 出願公開一覧
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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第33241位 0件
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2020年:第33075位 0件)
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2020年:第24204位 0件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2021-536675 | 3Dロジック及びメモリのための電力分配ネットワーク | 2021年12月27日 | |
| 特表 2021-536674 | モノリシック集積型3次元CMOSロジック及びメモリを製造するためのアーキテクチャ設計及びプロセス | 2021年12月27日 | |
| 特表 2021-536667 | プラズマ処理の方法及び装置 | 2021年12月27日 | |
| 特表 2021-535617 | 3次元ロジック機構内に積層型トランジスタを組み込んだロジックセルを垂直方向にルーティングする方法 | 2021年12月16日 | |
| 特表 2021-535616 | 自己組織化単分子膜コーティングを使用することによる金属汚染の防止のための方法及びシステム | 2021年12月16日 | |
| 特表 2021-535604 | ウェットエッチングのための光子的に調整されたエッチング液の反応性 | 2021年12月16日 | |
| 特表 2021-534575 | ルテニウムハードマスクプロセス | 2021年12月 9日 | |
| 特表 2021-534545 | プラズマ処理のための制御のシステム及び方法 | 2021年12月 9日 | |
| 特表 2021-534544 | プラズマ処理のための制御のシステム及び方法 | 2021年12月 9日 | |
| 特表 2021-533558 | 垂直入射現場プロセス監視センサ | 2021年12月 2日 | |
| 特表 2021-531661 | 半導体デバイス用の結晶学的に安定化された強誘電性ハフニウムジルコニウムベースの膜を形成する方法 | 2021年11月18日 | |
| 特表 2021-530874 | 3D NAND構造における窒化ケイ素のエッチング及びシリカ堆積制御 | 2021年11月11日 | |
| 特表 2021-530101 | 選択的二重層誘電体再成長を用いた完全な自己整合ビア | 2021年11月 4日 | |
| 特表 2021-528859 | ナノワイヤデバイスを形成する方法 | 2021年10月21日 | |
| 特表 2021-527946 | 製造装置における特性の低干渉でのリアルタイム感知 | 2021年10月14日 |
42 件中 1-15 件を表示
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2021-536675 2021-536674 2021-536667 2021-535617 2021-535616 2021-535604 2021-534575 2021-534545 2021-534544 2021-533558 2021-531661 2021-530874 2021-530101 2021-528859 2021-527946
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企業の知財部員がすべき「知財実務手順の対応」 ~特許出願から明細書作成のノウハウ及び先行技術調査の基礎、特許権侵害の実務対応~
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