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トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッド
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トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2026-533792 | ＩＲレーザリフトオフプロセスに基づいてシリコンキャリアウェーハを保護して再利用する方法 | 2026年10月 9日 | |
| 特表 2026-533791 | 表面アルキル化を使用した酸化ケイ素に対して窒化ケイ素を選択的にエッチングする方法 | 2026年10月 9日 | |
| 特表 2026-533790 | モリブデンの湿式原子層エッチングの方法 | 2026年10月 9日 | |
| 特表 2026-533339 | インサイチュ蛍光ベースのチャンバ及びウェーハの監視 | 2026年10月 6日 | |
| 特表 2026-532913 | 拡張可能なウェハボンダ | 2026年10月 2日 | |
| 特表 2026-532794 | 下地層のエッチングプロファイルを改善するための方法及び構造 | 2026年10月 1日 | |
| 特表 2026-530417 | フルオロカーボン処理によるエッチング選択性調整 | 2026年 9月 8日 | |
| 特表 2026-530302 | ＤＣ磁場で変調されたプラズマを用いる基板の処理 | 2026年 9月 8日 | |
| 特表 2026-529925 | ハイブリッドＸ線及び光学計測並びにナビゲーション | 2026年 9月 3日 | |
| 特表 2026-529890 | プラズマ処理のための方法 | 2026年 9月 3日 | |
| 特表 2026-528804 | ＩＲレーザリフトオフプロセスのための剥離層 | 2026年 8月25日 | |
| 特表 2026-525980 | ウェーハ接合システムにおける処理制御のための統合された計測 | 2026年 8月 4日 | |
| 特表 2026-525523 | プロセスシステム、方法、及び基板チャック | 2026年 7月31日 | |
| 特表 2026-525524 | プラズマ処理の方法及び装置 | 2026年 7月31日 | |
| 特表 2026-524759 | スピンオン自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）の選択性を制御するための方法 | 2026年 7月24日 |
36 件中 1-15 件を表示
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2026-533792 2026-533791 2026-533790 2026-533339 2026-532913 2026-532794 2026-530417 2026-530302 2026-529925 2026-529890 2026-528804 2026-525980 2026-525523 2026-525524 2026-524759
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