ホーム > 特許ランキング > トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド > 2023年 > 出願公開一覧
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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第35905位 0件
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2022年:第37581位 0件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第27627位 0件
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2022年:第27906位 0件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2023-552763 | パターニングされた基板に形成された開口内の充填材を凹ませる方法 | 2023年12月19日 | |
| 特表 2023-549608 | 極紫外線(EUV)レジストパターニング現像のための方法 | 2023年11月28日 | |
| 特表 2023-541682 | 周期的低温膜成長プロセス | 2023年10月 3日 | |
| 特開 2023-134804 | プラットフォーム、及び統合的エンドツーエンド自己整合マルチパターニングプロセスの操作方法 | 2023年 9月27日 | |
| 特表 2023-540684 | 同軸透視検査システム | 2023年 9月26日 | |
| 特表 2023-540683 | 同軸透過型整列結像システム | 2023年 9月26日 | |
| 特表 2023-540213 | 基板を化学的に処理するためのプラズマ処理システム及び方法 | 2023年 9月22日 | |
| 特表 2023-539546 | ウェーハ間接合のための装置及び方法 | 2023年 9月15日 | |
| 特表 2023-539512 | 半導体膜厚を制御する方法 | 2023年 9月14日 | |
| 特表 2023-539277 | ガスクラスター補助プラズマ処理 | 2023年 9月13日 | |
| 特表 2023-538535 | 半導体デバイス用の、選択された分極を有する誘電体材料を形成する方法 | 2023年 9月 8日 | |
| 特表 2023-534624 | RF電圧及び電流(V-I)センサ並びに測定方法 | 2023年 8月10日 | |
| 特開 2023-103303 | 高度なコンタクトにおけるキャップ層形成のためのエリア選択的堆積 | 2023年 7月26日 | |
| 特表 2023-531601 | RF電圧及び電流(V-I)センサ及び測定方法 | 2023年 7月25日 | |
| 特表 2023-530260 | 幅狭スロット接点を形成する方法 | 2023年 7月14日 |
33 件中 1-15 件を表示
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2023-552763 2023-549608 2023-541682 2023-134804 2023-540684 2023-540683 2023-540213 2023-539546 2023-539512 2023-539277 2023-538535 2023-534624 2023-103303 2023-531601 2023-530260
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