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トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッド
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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第37581位 0件
（
2021年：第34147位 0件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第27906位 0件
（2021年：第25492位 0件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2022-553678 | 埋設電源レールを有するＣＦＥＴのための電力供給ネットワーク | 2022年12月26日 | |
| 特表 2022-552961 | 基板の１つ以上の特性を監視するためのシステム及び方法 | 2022年12月21日 | |
| 特表 2022-549067 | 基板のパターン化処理 | 2022年11月24日 | |
| 特表 2022-548863 | 狭小トレンチを形成する方法 | 2022年11月22日 | |
| 特表 2022-548171 | 高度回路アーキテクチャのための高密度ロジック及びメモリの製造方法 | 2022年11月16日 | |
| 特表 2022-547126 | 陥凹特徴部におけるボトムアップ金属化の方法 | 2022年11月10日 | |
| 特表 2022-544904 | 別の金属及び誘電体に対してチューニング可能な選択性を有するチタン含有材料層の非プラズマエッチング | 2022年10月24日 | |
| 特表 2022-544816 | プラズマエッチングにおける終点検出のための合成波長 | 2022年10月21日 | |
| 特表 2022-544480 | プラズマ処理のための３フェーズパルス印加システム及び方法 | 2022年10月19日 | |
| 特表 2022-544026 | エッチングプロファイル制御のために超薄ルテニウム金属ハードマスクを使用する方法 | 2022年10月17日 | |
| 特表 2022-543766 | 効率的な３Ｄ集積化関連アプリケーションデータのための非常に規則的なロジック設計 | 2022年10月14日 | |
| 特表 2022-543413 | ３Ｄトランジスタデバイスのためのディフュージョンブレーク、ゲートカット、並びに独立したＮゲート及びＰゲートの同時形成のための装置及び方法 | 2022年10月12日 | |
| 特表 2022-543426 | 多次元レーザアニーリングを用いた高密度ロジック形成 | 2022年10月12日 | |
| 特表 2022-542744 | 抵抗変化型ランダムアクセスメモリデバイスにおけるフォーミング電圧を制御するための方法 | 2022年10月 7日 | |
| 特表 2022-543116 | 積み重ねられたデバイスを有する半導体装置及びその製造方法 | 2022年10月 7日 |
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2022-553678 2022-552961 2022-549067 2022-548863 2022-548171 2022-547126 2022-544904 2022-544816 2022-544480 2022-544026 2022-543766 2022-543413 2022-543426 2022-542744 2022-543116
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