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マイクロン テクノロジー， インク．
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第820位 34件
（
2017年：第664位 52件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第494位 51件
（2017年：第306位 94件）
（ランキング更新日：2025年6月27日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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マイクロン テクノロジー， インク．の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6422600 | メモリにおけるストライプマッピング | 2018年11月14日 | |
| 特許 6420456 | 相変化メモリセルの核形成の増進 | 2018年11月 7日 | |
| 特許 6412949 | クロスポイントメモリおよびその製造方法 | 2018年10月24日 | |
| 特許 6400118 | メモリセル、半導体構造、半導体デバイスおよびその製造方法 | 2018年10月 3日 | |
| 特許 6391712 | 読み出しキャッシュメモリ | 2018年 9月19日 | |
| 特許 6391719 | トレーニング、データ再構築および／またはシャドウィングを含むメモリシステムおよび方法 | 2018年 9月19日 | |
| 特許 6386039 | 欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造 | 2018年 9月 5日 | |
| 特許 6373411 | 冗長電気コネクタを有する相互接続構造と、それに関連するシステムおよび方法 | 2018年 8月15日 | |
| 特許 6367797 | 階層メモリシステムのためのメモリ管理 | 2018年 8月 1日 | |
| 特許 6367956 | メモリセル及びサポート回路の縦ストリングを有する方法及び機器 | 2018年 8月 1日 | |
| 特許 6353440 | シリコンオンインシュレータ基板上に導波路の光分離を提供する方法および構造 | 2018年 7月 4日 | |
| 特許 6337216 | 仮想接地検知回路及び関連するデバイス、システム、及び、方法 | 2018年 6月 6日 | |
| 特許 6339222 | 改良された熱性能を有する積層半導体ダイアセンブリならびに関連するシステムおよび方法 | 2018年 6月 6日 | |
| 特許 6339672 | 金属ソースを含むメモリセルストリングを有する方法及び装置 | 2018年 6月 6日 | |
| 特許 6333353 | メモリノードを含む分散型メモリシステム用装置および方法 | 2018年 5月30日 |
51 件中 16-30 件を表示
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6422600 6420456 6412949 6400118 6391712 6391719 6386039 6373411 6367797 6367956 6353440 6337216 6339222 6339672 6333353
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