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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第820位 34件
(2017年:第664位 52件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第494位 51件
(2017年:第306位 94件)
(ランキング更新日:2025年6月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6329137 | メモリセルのセンシング | 2018年 5月23日 | |
特許 6321650 | メモリセルの分散されたサブブロックにアクセスすることを伴う装置および方法 | 2018年 5月 9日 | |
特許 6321887 | メモリへの電力利用可能性情報の供給 | 2018年 5月 9日 | |
特許 6316952 | メモリセルアレイに記憶された極値の識別装置及び方法 | 2018年 4月25日 | |
特許 6316974 | フラッシュメモリ圧縮 | 2018年 4月25日 | |
特許 6317028 | 高効率熱経路を有する積層半導体ダイアセンブリの製造方法 | 2018年 4月25日 | |
特許 6317039 | メモリウェアレベリング | 2018年 4月25日 | |
特許 6286064 | メモリ・セル形成方法 | 2018年 2月28日 | |
特許 6286087 | メモリセルのセンシング | 2018年 2月28日 | |
特許 6280121 | 状態機械エンジンにおける命令挿入 | 2018年 2月14日 | |
特許 6280214 | メモリで制御されるデータ移動及びタイミング | 2018年 2月14日 | |
特許 6280225 | メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム | 2018年 2月14日 | |
特許 6280229 | 電界効果トランジスタ構造およびメモリアレイ | 2018年 2月14日 | |
特許 6280256 | 3次元メモリアレイアーキテクチャ | 2018年 2月14日 | |
特許 6276296 | トレーニング、データ再構築および/またはシャドウィングを含むメモリシステムおよび方法 | 2018年 2月 7日 |
51 件中 31-45 件を表示
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6329137 6321650 6321887 6316952 6316974 6317028 6317039 6286064 6286087 6280121 6280214 6280225 6280229 6280256 6276296
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