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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7161030 | システムオンチップの再構成及び再利用のためのヒューズロードアーキテクチャ | 2022年10月25日 | |
特許 7157516 | 階層デコーダを使用したエラー訂正 | 2022年10月20日 | |
特許 7157518 | 無線によるセキュアなロック作動のためのやり取り | 2022年10月20日 | |
特許 7150195 | ブロックチェーンを基にしたメモリコマンドの正当性確認 | 2022年10月 7日 | |
特許 7138698 | 電荷トラップ構造における空間の形成 | 2022年 9月16日 | |
特許 7138722 | クロスポイントメモリアレイおよび関連する製造技法 | 2022年 9月16日 | |
特許 7137477 | データキャッシング | 2022年 9月14日 | |
特許 7137615 | クロスポイントメモリアレイ内の自己整列されたメモリデッキ | 2022年 9月14日 | |
特許 7137633 | 多段階メモリセンシング | 2022年 9月14日 | |
特許 7137708 | ファームウェアの状態に基づく自動パワーダウン | 2022年 9月14日 | |
特許 7124059 | 半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法 | 2022年 8月23日 | |
特許 7123142 | セルの外乱を低減するためにリーカ・デバイスをキャパシタ構成に組み込む方法、およびリーカ・デバイスを組み込むキャパシタ構成 | 2022年 8月22日 | |
特許 7123151 | メモリ・デバイスのためのドーパント変調型エッチング | 2022年 8月22日 | |
特許 7118012 | メモリセルのインプリント回避 | 2022年 8月15日 | |
特許 7116156 | 誘電バリアを有する自己選択型メモリ・セル | 2022年 8月 9日 |
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7161030 7157516 7157518 7150195 7138698 7138722 7137477 7137615 7137633 7137708 7124059 7123142 7123151 7118012 7116156
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