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シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド

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  2022年 出願公開件数ランキング    第908位 29件 上昇2021年:第974位 28件)

  2022年 特許取得件数ランキング    第1358位 15件 上昇2021年:第1703位 10件)

(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2022-523292 2ゲート不揮発性メモリセルのアレイを使用するニューラルネットワーク分類子 2022年 4月22日
特表 2022-523316 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用の精密プログラミング回路 2022年 4月22日
特表 2022-522987 3ゲート不揮発性メモリセルのアレイを使用するニューラルネットワーク分類子 2022年 4月21日
特表 2022-523075 深層学習人工ニューラルネットワークのアナログニューラルメモリにおいて不揮発性メモリセルのプログラミング動作中に格納された値を検証するためのアルゴリズム及び回路 2022年 4月21日
特表 2022-519494 4ゲート不揮発性メモリセルのアレイを使用するニューラルネットワーク分類器 2022年 3月24日
特表 2022-519041 スタックゲート不揮発性メモリセルのアレイを使用するニューラルネットワーク分類子 2022年 3月18日
特表 2022-517810 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用の電力管理 2022年 3月10日
特表 2022-514111 使用頻度に基づいてプログラム状態の分離を変更するためのメモリデバイス及び方法 2022年 2月 9日
特表 2022-512105 拡張ソース線FinFETを備えたFinFETベースのスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリ、及び製造方法 2022年 2月 2日
特表 2022-511134 フラッシュメモリセルにアクセスするためのアレイの列及び行を構成する方法及び装置 2022年 1月31日
特表 2022-511012 FinFET構造体及びHKMGメモリ及び論理ゲートを有する分割ゲート不揮発性メモリセル、並びにその製造方法 2022年 1月28日
特表 2022-511013 浮遊ゲート、結合ゲート、及び消去ゲートを有するメモリセル、並びにその製造方法 2022年 1月28日
特表 2022-505073 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのプログラミングのための精密な調整 2022年 1月14日
特表 2022-505083 不揮発性フラッシュメモリデバイスにおいて使用される改善されたチャージポンプ 2022年 1月14日

29 件中 16-29 件を表示

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2022-523292 2022-523316 2022-522987 2022-523075 2022-519494 2022-519041 2022-517810 2022-514111 2022-512105 2022-511134 2022-511012 2022-511013 2022-505073 2022-505083

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