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クリー インコーポレイテッド

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  2022年 出願公開件数ランキング    第793位 34件 上昇2021年:第1489位 16件)

  2022年 特許取得件数ランキング    第1019位 22件 上昇2021年:第2016位 8件)

(ランキング更新日:2024年11月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2022-529373 内側供給フィンガを有する高出力トランジスタ 2022年 6月21日
特表 2022-527399 作用面積を増加させたトランジスタ半導体ダイ 2022年 6月 1日
特表 2022-527051 トランジスタ内負荷変調 2022年 5月30日
特開 2022-79655 バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ 2022年 5月26日
特表 2022-525744 埋設された粒子停止層を含む上側金属被膜構造を有するパワー半導体デバイス 2022年 5月19日
特開 2022-58877 湿気保護封止を有するパッケージ化された電子回路とその形成方法 2022年 4月12日
特表 2022-519825 埋込みp型層を有する第III族窒化物高電子移動度トランジスタおよびその作製プロセス 2022年 3月25日
特開 2022-46583 イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法 2022年 3月23日
特表 2022-518126 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 2022年 3月14日
特表 2022-517543 結晶材料を切り分けるためのレーザ・アシスト法 2022年 3月 9日
特表 2022-517320 向上されたドレイン電流ドリフト及び/又は漏れ電流性能を有する高電子移動度トランジスタ 2022年 3月 8日
特開 2022-31923 炭化ケイ素への制御されたイオン注入 2022年 2月22日
特開 2022-31964 イオン注入側壁を有するゲート・トレンチを備えるパワー半導体デバイス及び関連方法 2022年 2月22日
特表 2022-515871 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 2022年 2月22日
特表 2022-510411 入力と出力が分離された、パッケージングされたトランジスタ・デバイス、及び入力と出力が分離された、パッケージングされたトランジスタ・デバイスを形成する方法 2022年 1月26日

34 件中 16-30 件を表示

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2022-529373 2022-527399 2022-527051 2022-79655 2022-525744 2022-58877 2022-519825 2022-46583 2022-518126 2022-517543 2022-517320 2022-31923 2022-31964 2022-515871 2022-510411

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