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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5093854 | エッチング方法 | 2012年12月12日 | |
特許 5074009 | 高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法及びその装置並びにその製造プログラム | 2012年11月14日 | |
特許 5052638 | 成膜方法 | 2012年10月17日 | |
特許 4977730 | プラズマエッチング装置 | 2012年 7月18日 | |
特許 4967084 | 半導体装置及びその製造方法 | 2012年 7月 4日 |
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5093854 5074009 5052638 4977730 4967084
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