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バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第7099位 2件
（
2010年：第1442位 19件）
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（
2010年：第2584位 6件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4827156 | 能動的な静電シールおよび静電真空ポンプ | 2011年11月30日 | |
| 特許 4822240 | 二重パルスを使用して，低電圧のプラズマドーピングをする方法および装置。 | 2011年11月24日 | |
| 特許 4822489 | 真空変動中にイオン注入を制御するための方法及び装置 | 2011年11月24日 | |
| 特許 4817656 | 間接的に加熱されるカソードイオン源 | 2011年11月16日 | |
| 特許 4817574 | プラズマ処理装置内の電流測定値から変位電流を除去するための方法及び装置 | 2011年11月16日 | |
| 特許 4803941 | 間接的に加熱される陰極イオン源のための陰極組立体 | 2011年10月26日 | |
| 特許 4803878 | プラズマ浸漬イオン注入ドーピング装置用のドーズ量モニター | 2011年10月26日 | |
| 特許 4727572 | 高速で対象物を取り扱う方法および装置 | 2011年 7月20日 | |
| 特許 4730932 | 広いダイナミックレンジのイオンビームスキャナー | 2011年 7月20日 | |
| 特許 4693142 | 階層的状態機械を使ってシステムを制御するための方法及び装置 | 2011年 6月 1日 | |
| 特許 4666448 | 中空カソードを含むプラズマドーピングシステム。 | 2011年 4月 6日 | |
| 特許 4632393 | イオン注入のための高伝搬で，低エネルギーのビームラインのアーキテクチャー | 2011年 2月16日 |
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4827156 4822240 4822489 4817656 4817574 4803941 4803878 4727572 4730932 4693142 4666448 4632393
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