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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第1583位 15件
(2020年:第680位 43件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第590位 38件
(2020年:第914位 22件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6928035 | 有機アミノシラン前駆体およびこれを含む膜の堆積方法 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6920457 | 強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物 | 2021年 8月18日 | |
特許 6916297 | 強誘電体材料としてのケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための新規配合物 | 2021年 8月11日 | |
特許 6917961 | 半導体デバイスの製造中に窒化チタンに対して窒化タンタルを選択的に除去するためのエッチング液 | 2021年 8月11日 | |
特許 6909251 | フォトレジスト剥離剤 | 2021年 7月28日 | |
特許 6904924 | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 | 2021年 7月21日 | |
特許 6905002 | 化学機械研磨用タングステンバフ研磨スラリー | 2021年 7月21日 | |
特許 6892418 | 半導体デバイスの製造中にシリコン−ゲルマニウム/シリコン積層体からシリコン−ゲルマニウム合金に対してシリコンを選択的に除去するためのエッチング液 | 2021年 6月23日 | |
特許 6885984 | ケイ素含有膜の堆積のための有機アミノ官能化環状オリゴシロキサン | 2021年 6月16日 | |
特許 6882468 | 表面フィーチャを充填する低k膜を作るための前駆体および流動性CVD法 | 2021年 6月 2日 | |
特許 6878490 | フォトレジスト剥離剤 | 2021年 5月26日 | |
特許 6871161 | ケイ素含有膜の堆積のための組成物及びそれを使用した方法 | 2021年 5月12日 | |
特許 6866428 | TiNハードマスク除去及びエッチング残渣クリーニング用組成物 | 2021年 4月28日 | |
特許 6864086 | 酸化ケイ素膜の堆積のための組成物及び方法 | 2021年 4月21日 | |
特許 6855420 | 半導体デバイスの製造中にシリコン−ゲルマニウム/シリコン積層体からシリコン−ゲルマニウム合金を選択的に除去するためのエッチング液 | 2021年 4月 7日 |
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6928035 6920457 6916297 6917961 6909251 6904924 6905002 6892418 6885984 6882468 6878490 6871161 6866428 6864086 6855420
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10月23日(木) - 東京 港区
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10月24日(金) -
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