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キヤノンアネルバ株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第724位 46件
（
2012年：第347位 119件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第654位 50件
（
2012年：第926位 32件）
（ランキング更新日：2025年5月23日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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キヤノンアネルバ株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5231573 | スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5226809 | 成膜装置およびそれを用いた基板の製造方法 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5220147 | 冷却装置および加熱装置 | 2013年 6月26日 | |
| 特許 5216918 | イオンビーム発生装置、基板処理装置及び電子デバイスの製造方法 | 2013年 6月19日 | |
| 特許 5209791 | 半導体装置およびその製造方法 | 2013年 6月12日 | |
| 特許 5209740 | ガス供給装置及び真空処理装置 | 2013年 6月12日 | |
| 特許 5209717 | スパッタリング装置及びその制御用プログラムを記録した記録媒体 | 2013年 6月12日 | |
| 特許 5209482 | 酸化処理方法 | 2013年 6月12日 | |
| 特許 5192492 | 真空処理装置、当該真空処理装置を用いた画像表示装置の製造方法及び当該真空処理装置により製造される電子装置 | 2013年 5月 8日 | |
| 特許 5192549 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | 2013年 5月 8日 | |
| 特許 5190316 | 高周波スパッタリング装置 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5189609 | プラズマ処理装置 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5190451 | 炭化ケイ素基板を有する半導体デバイスのアニール方法 | 2013年 4月24日 | |
| 特許 5175388 | 質量分析用イオン検出装置、イオン検出方法、およびイオン検出装置の製造方法 | 2013年 4月 3日 | |
| 特許 5174170 | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置 | 2013年 4月 3日 |
50 件中 31-45 件を表示
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5231573 5226809 5220147 5216918 5209791 5209740 5209717 5209482 5192492 5192549 5190316 5189609 5190451 5175388 5174170
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