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東京エレクトロン株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第62位 621件
（
2010年：第57位 692件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第41位 739件
（2010年：第39位 580件）
（ランキング更新日：2024年12月3日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京エレクトロン株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4721289 | 基板処理装置 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4722876 | 金属酸化膜の形成方法 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4720464 | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4720266 | 成膜方法、成膜装置及びコンピュータプログラム | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4720029 | 枚葉式の熱処理装置 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4720019 | 冷却機構及び処理装置 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4725650 | プローブ装置 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4723631 | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4724353 | 半導体基板のための高圧処理チャンバー | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4723513 | 化学的酸化物除去（ＣｈｅｍｉｃａｌＯｘｉｄｅＲｅｍｏｖａｌ）システムの操作方法 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4723503 | 高ｋ誘電体材料をエッチングするための方法とシステム | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4722725 | 処理方法およびプラズマエッチング方法 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4722550 | 半導体装置の製造方法 | 2011年 7月13日 | |
| 特許 4718061 | 液処理装置および液処理方法ならびに現像処理装置 | 2011年 7月 6日 | |
| 特許 4718272 | レニウム系膜の成膜方法、ゲート電極の形成方法、半導体装置の製造方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | 2011年 7月 6日 |
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4721289 4722876 4720464 4720266 4720029 4720019 4725650 4723631 4724353 4723513 4723503 4722725 4722550 4718061 4718272
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ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ～秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約～
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