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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第156位 297件
(2014年:第152位 300件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第184位 166件
(2014年:第168位 260件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5766870 | インジウム製円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2015年 8月19日 | |
特許 5761670 | 透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2015年 8月12日 | |
特許 5763178 | パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット | 2015年 8月12日 | |
特許 5758033 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5758034 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5758035 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5758205 | グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5758254 | 圧延銅箔 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5759037 | α線量が少ないインジウム又はインジウムを含有する合金 | 2015年 8月 5日 | |
特許 5755572 | 電解精製用ビスマスアノードの製造方法 | 2015年 7月29日 | |
特許 5750393 | Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2015年 7月22日 | |
特許 5751572 | α線量が少ないインジウム又はインジウムを含有する合金 | 2015年 7月22日 | |
特許 5752536 | 圧延銅箔 | 2015年 7月22日 | |
特許 5753115 | プリント配線板用圧延銅箔 | 2015年 7月22日 | |
特許 5748928 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | 2015年 7月15日 |
166 件中 61-75 件を表示
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5766870 5761670 5763178 5758033 5758034 5758035 5758205 5758254 5759037 5755572 5750393 5751572 5752536 5753115 5748928
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2月25日(火) -
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