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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第291位 132件
(2020年:第192位 224件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
(2020年:第293位 94件)
(ランキング更新日:2025年6月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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再表 2020-121576 | 圧力測定システム | 2021年 2月15日 | |
特開 2021-17616 | 炭素薄膜の形成方法、および、炭素薄膜の形成装置 | 2021年 2月15日 | |
特開 2021-17830 | 真空ポンプ | 2021年 2月15日 | |
特開 2021-17967 | 仕切りバルブ | 2021年 2月15日 | |
特開 2021-14626 | カーボン電極膜の形成方法及び相変化型メモリ素子の製造方法 | 2021年 2月12日 | |
特開 2021-15900 | 真空チャンバ及び基板処理装置 | 2021年 2月12日 | |
再表 2019-176343 | 成膜方法 | 2021年 2月 4日 | |
特開 2021-7958 | 連続鋳造装置 | 2021年 1月28日 | |
特開 2021-8645 | スパッタリング装置 | 2021年 1月28日 | |
特開 2021-8833 | 真空ポンプ | 2021年 1月28日 | |
特開 2021-8970 | 凍結乾燥用ノズル、凍結乾燥装置、および、造粒方法 | 2021年 1月28日 | |
特開 2021-8971 | 凍結乾燥用ノズル、凍結乾燥装置、および、造粒方法 | 2021年 1月28日 | |
特開 2021-9911 | 電子部品の製造方法 | 2021年 1月28日 | |
特表 2021-501987 | 半導体デバイス製作用の高アスペクト比誘電孔における選択的相変化材料成長 | 2021年 1月21日 | |
特開 2021-7122 | 真空装置、吸着装置、吸着方法 | 2021年 1月21日 |
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2020-121576 2021-17616 2021-17830 2021-17967 2021-14626 2021-15900 2019-176343 2021-7958 2021-8645 2021-8833 2021-8970 2021-8971 2021-9911 2021-501987 2021-7122
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6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月19日(木) - 大阪 大阪市
6月19日(木) -
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) -
6月20日(金) - 愛知 名古屋市
6月16日(月) - 東京 大田
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