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台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司

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  2013年 出願公開件数ランキング    第1359位 21件 上昇2012年:第1902位 12件)

  2013年 特許取得件数ランキング    第636位 52件 上昇2012年:第1143位 24件)

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公報番号発明の名称公報発行日備考
特許 5377456 選択 異なる誘電材料を用いたインター装置STI領域とイントラ装置STI領域の形成 2013年12月25日
特許 5377340 選択 ダイ、スタック構造、及びシステム 2013年12月25日
特許 5373722 選択 蓄積型FINFET、回路、及びその製造方法 2013年12月18日
特許 5356344 選択 フィン型電界効果トランジスタ 2013年12月 4日
特許 5354807 選択 電子素子、及び、電子素子の製造方法 2013年11月27日
特許 5351740 選択 二回のカット工程によって多結晶シリコンのライン端部短縮の問題を解決する方法 2013年11月27日
特許 5345092 選択 スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セルとその製造方法 2013年11月20日
特許 5345077 選択 低k誘電体ライナーを有するシリコン貫通ビア 2013年11月20日
特許 5341020 選択 傾斜三元または四元マルチゲートトランジスタ 2013年11月13日
特許 5340417 選択 サブマウント及びサブマウントの形成方法 2013年11月13日
特許 5334934 選択 導電表面チャネル伸長部分とゲート制御チャネル側壁を有する薄体MOSFET 2013年11月 6日
特許 5328722 選択 高移動度チャネル(High−MobilityChannels)を有する装置のソース/ドレイン工学 2013年10月30日
特許 5329474 選択 温度とデジタルコード間の線形関係の提供 2013年10月30日
特許 5330358 選択 集積回路構造、及び集積回路の製造方法 2013年10月30日
特許 5317398 選択 格子パラメータを変化させる元素を含有する窒化ガリウムデバイス基板 2013年10月16日

52 件中 1-15 件を表示

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5377456 5377340 5373722 5356344 5354807 5351740 5345092 5345077 5341020 5340417 5334934 5328722 5329474 5330358 5317398

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