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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第566位 60件
(
2018年:第476位 68件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第384位 69件
(
2018年:第341位 83件)
(ランキング更新日:2025年12月5日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6525377 | 複数の酸発生剤化合物を含むフォトレジスト | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525383 | フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525384 | シリコン含有下層 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525385 | 選択的な金属被覆のための遮断コーティング | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525386 | 選択的な金属被覆のための遮断コーティング | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525387 | 選択的な金属被覆のための遮断コーティング | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525388 | 双性イオン性光破壊性クエンチャー | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525389 | フォトレジストトップコート組成物及びフォトレジスト組成物を処理する方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525390 | 塩基反応性成分を含む組成物およびフォトリソグラフィーのための方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525391 | 下層のための芳香族樹脂 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525581 | トップコート組成物およびフォトリソグラフィ法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6511494 | シリコン含有下層 | 2019年 5月15日 | |
| 特許 6510161 | 反射防止被膜用の組成物 | 2019年 5月 8日 | |
| 特許 6510795 | 一時的な結合 | 2019年 5月 8日 | |
| 特許 6506346 | 酸不安定基を有する共重合体、フォトレジスト組成物、塗布基板、および電子デバイス形成方法 | 2019年 4月24日 |
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6525377 6525383 6525384 6525385 6525386 6525387 6525388 6525389 6525390 6525391 6525581 6511494 6510161 6510795 6506346
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12月9日(火) - 大阪 大阪市
12月10日(水) - 東京 千代田区
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